王文博
,
王晓慧
,
黄苒
,
欧毅
,
杜寰
,
夏洋
,
韩郑生
,
冯亚云
,
凌志华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021
介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.
关键词:
LCOS
,
微显示
,
CMP
,
镜面电极
宁婕妤
,
李云白
,
刘邦武
,
夏洋
,
李超波
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.018
以透明导电玻璃ITO和铜片为工作电极,用0.1mol/L乙酸铜和0.02mol/L乙酸钠的混合溶液作为电解液,通过两电极电化学沉积方法制备了Cu2O薄膜.讨论了pH值和沉积电位对Cu2O薄膜的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行表征.结果表明,两电极电化学沉积法制备Cu2O薄膜最佳的pH值为5.7～5.9,沉积电位为1.1～1.3V.此外,分析了沉积电位对Cu2O薄膜形貌的影响.
关键词:
Cu2O
,
薄膜
,
阴极电沉积
,
表征
蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
,
刘刚
,
夏洋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.015
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.
关键词:
VDMOS
,
辐照
,
氧化物陷阱电荷
,
界面态电荷
邵花
,
王文东
,
刘训春
,
夏洋
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.008
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下，利用直流磁控溅射法在Si表面制备了 Ta薄膜，系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的 Ta 薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现，随溅射气压升高，高阻β相出现，薄膜电阻率随之增大；在相同溅射气压下，随着溅射功率的增加，薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
关键词:
磁控溅射
,
Ta
,
薄膜电阻率
宁婕妤
,
刘邦武
,
夏洋
,
李超波
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.033
采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu 薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响.采用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征.结果显示,制备的 Cu 膜电阻率为1．87×10-8Ω??m,非均匀性为2．64％.此外,将制备的 Ni/Cu 工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用 I-V 测试仪测试电池参数,填充因子高达77．8％.
关键词:
镍膜
,
铜膜
,
光诱导电沉积
,
表征
,
制备
饶志鹏
,
万军
,
冯嘉恒
,
李超波
,
夏洋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12490
采用等离子体增强型原子层沉积(PEALD)系统原位掺杂制备了TiO2-xNx光催化剂.利用光电子能谱(XPS)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)光谱对催化剂进行了表征,并研究了TiO2-xNx纳米薄膜在可见光照射下水接触角的变化和催化降解亚甲基橙(MO)溶液的性能.结果表明,等离子体功率变化可以改变掺入氮原子的结构,在功率为50W时主要形成替换式氮原子,含量约为1.22at％,晶体为锐钛矿(101)型.结构无明显缺陷,且掺杂后TiO2-xNx薄膜光生电子-空穴对复合率低,有利于光催化效率的提高.该方法解决了传统ALD工艺制备TiO2-xNx光催化剂时容易形成氧空位的问题,实现了TiO2-xNx纳米材料的可见光(λ＜800 nm)吸收和可见光光催化性能.
关键词:
等离子体增强原子层沉积
,
原位
,
TiO2-xNx
,
光催化剂
卢维尔
,
董亚斌
,
李超波
,
夏洋
,
李楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13449
原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜.该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术.作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率.本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势.
关键词:
原子层沉积
,
生长速率
,
生长机制
,
位阻效应
