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ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 杨建荣 , 于梅芳 , 杜美容 , 乔怡敏 , 郭世平 , 何力

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。

关键词: ZnSe , MBE , 生长控制 , 掺杂控制

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的电学法测量和光学法确认

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 李标 , 杨建荣 , 何力

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017

为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究，发现电学法和光学法测量的结果可以很好地吻合，从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中较高的掺杂水平。

关键词: ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光学法测量