杨春晖
,
王猛
,
夏士兴
,
孙亮
,
朱崇强
,
吕维强
,
姚宝权
,
王月珠
人工晶体学报
采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为22×90 mm2.晶体透光范围0.7～12.0 μm,平均透过率达到56%;OPO光参量震荡器件尺寸6×6×15 mm3,采用2 μm的泵浦光,产生4 W以上的3.8～4.5 μm激光输出.
关键词:
ZnGeP2晶体
,
合成
,
生长
,
透过率
,
光参量震荡
夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体, 晶体毛坯尺寸达直径20mm×90mm, 选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品. 从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性. 实验结果显示: 晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大, 表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小, 这是由于晶体内缺陷密度发生了改变, 且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡, 进而导致晶体的近红外吸收产生差异. 理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷和受主缺陷的吸收光谱. 计算结果表明: 受主缺陷对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷.
关键词:
磷化锗锌
,
near infrared absorption
,
defects density
,
donor defects
,
acceptor defects
夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,品体毛坯尺寸达Ф20mm×90mm,选取品体尾部、品体中部、籽品端三个部位厚度为4.0mm的抛光品片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明品体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷Ge+Zn和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施丰缺陷Ge+Zn.
关键词:
磷化锗锌
,
近红外吸收
,
缺陷密度
,
施主缺陷
,
受主缺陷
夏士兴
,
莫小刚
,
李兴旺
,
王永国
,
张月娟
,
徐学珍
人工晶体学报
本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,获得尺寸达φ20 mm×2.0mm的晶体样品.光谱测试分析结果显示,晶体样品在3.0 μm附近具有显著的Fe2+∶ZnSe晶体的特征吸收,相对吸收强度达85％;通过ICP-AES测试该晶体样品中铁离子为4.5 ×1017 cm-3;分析了影响掺杂铁离子浓度的主要因素.
关键词:
Fe2+∶ZnSe晶体
,
扩散掺杂
,
铁离子浓度
,
光学吸收
夏士兴
,
雷作涛
,
王猛
,
杨春晖
,
李纲
,
姚宝权
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达φ30 mm×120mm.晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3～8 μm吸收系数0.01cm-1,光损伤阈值2.0±0.3 J/ cm2.利用2.05μm Tm,Ho:CdVO4激光器为泵浦源,脉冲重复频率10 kHz.当泵浦功率16.3 W时,3～5μm光参最振荡输出8.7 W,光-光转换效率为53%,斜率效率为64%.
关键词:
ZnGeP2晶体
,
吸收系数
,
光参量振荡
朱崇强
,
杨春晖
,
王猛
,
夏士兴
,
马天慧
,
吕维强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01089
ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料. 晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展. 本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况. 首先, 利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷V0P和Ge+Zn, 其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.02±0.03)eV, E(V0P)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV. 对晶体作了电子照射及高温退火等处理后, 又分别发现了两种缺陷V 3-Ge和VPi. 其次, 利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致, 但由于理论模拟与实际情况还存在差距, 有些计算结果与实验结果相矛盾. 因此, 将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
关键词:
ZnGeP2晶体
,
electron paramagnetic resonance
,
acceptors
,
donors
,
density
朱崇强
,
杨春晖
,
王猛
,
夏士兴
,
马天慧
,
吕维强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.001
ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge+Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
关键词:
ZnGePz晶体
,
电子顺磁共振
,
受主缺陷
,
施主缺陷
,
密度泛函理论
