王琦
,
王荣华
,
夏冬梅
,
郑有炓
,
韩平
,
谢自力
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.004
用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.
关键词:
碳化
,
SiC
,
应变Si
王荣华
,
韩平
,
王琦
,
夏冬梅
,
谢自力
,
张荣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.002
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移.
关键词:
化学气相淀积
,
Si1-yCy合金薄膜
,
Si-C局域振动模
夏冬梅
,
王荣华
,
王琦
,
韩平
,
谢自力
,
张荣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.006
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的si1-xGex:C合金薄膜.研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex:C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-x,Gex:C合金薄膜,仅在Si缓冲层和sil一,Ge,:c外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通过对材料结构及表面形貌的分析研究了缓冲层和外延层的生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.
关键词:
化学气相淀积
,
Si1-xCex:C合金薄膜
,
生长温度
