刘超峰
,
张鸿
,
夏俊霄
,
李根
,
李志成
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01043
采用改性共沉淀法合成了La9.33Si6O26-10wt% Zr0.86Y0.14O1.92两相共存的氧离子导电复合材料, 利用X射线衍射、扫描电子显微镜、交流阻抗技术分别表征了材料的相组成、微观组织和离子导电性. 结果表明, 复合材料粉体平均晶粒尺寸为35 nm, 烧结块体的平均颗粒尺寸为500 nm; 在300~700℃温度范围内, 复合材料的导电率均高于La9.33Si6O26或Zr0.86Y0.14O1.92单相材料, 且700℃时比La9.33Si6O26高出1个数量级. 结合交流阻抗谱及电模量谱对复合材料的导电机理进行了分析讨论.
关键词:
La9.33Si6O26
,
Zr0.86Y0.14O1.92
,
composite material
,
co-precipitation method
,
ionic conductivity
刘超峰
,
张鸿
,
夏俊霄
,
李根
,
李志成
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01043
采用改性共沉淀法合成了La9.33Si6O26- 10wt% Zr0.86Y0.14O1.92两相共存的氧离子导电复合材料,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、交流阻抗技术分别表征了材料的相组成、微观组织和离子导电性.结果表明,复合材料粉体平均晶粒尺寸为35 nm,烧结块体的平均颗粒尺寸为500 nm;在300~700℃温度范围内,复合材料的导电率均高于La9.33Si6O26或Zr0.86Y0.14O1.92单相材料,且700℃时比La9.33Si6O26高出1个数量级.结合交流阻抗谱及电模量谱对复合材料的导电机理进行了分析讨论.
关键词:
La9.33Si6O26
,
Zr0.86Y0.14O1.92
,
复合材料
,
共沉淀法
,
离子导电性