唐田
,
张永刚
,
郑燕兰
,
唐雄心
,
李爱珍
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.022
基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.
关键词:
InGaAsSb
,
AlGaAsSb
,
应变
李爱珍
,
李华
,
李存才
,
胡建
,
唐雄心
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.032
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ50 mm沿x轴和y轴分别为±0.1%和±0.2%,Φ75 mm <±1%.表面缺陷密度在1×10～1×102 cm-2.
关键词:
InGaP
,
均匀性
,
气态源分子束外延
,
X射线双晶衍射
,
InGaP/GaAs
