唐陈霞
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赵剑峰
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关芳芳
材料研究学报
以激光为热源, 以SiC纳米颗粒材料为前驱体, 用激光照射SiC纳米颗粒原位生长晶须.
结果表明: 由于激光能量输出的瞬时特性, SiC纳米颗粒受到激光的照射可瞬时生成SiC晶须.
随着激光功率的提高, 晶须的直径从纳米级增大到微米级. 由于在激光光斑内能量呈高斯分布,
光斑内不同区域的SiC颗粒的温度不同, 致使生成的晶须形态在不同的区域分别呈现为团絮状、
网状和棒状等. X射线衍射分析表明, 激光照射SiC纳米颗粒原位生长的晶须具有很高的纯度.
关键词:
材料合成与加工工艺
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null
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null
唐陈霞
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赵剑峰
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关芳芳
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.02.010
以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,用激光照射SiC纳米颗粒原位生长晶须.结果表明:由于激光能量输出的瞬时特性,SiC纳米颗粒受到激光的照射可瞬时生成SiC晶须.随着激光功率的提高,晶须的直径从纳米级增大到微米级.由于在激光光斑内能量呈高斯分布,光斑内不同区域的SiC颗粒的温度不同,致使生成的晶须形态在不同的区域分别呈现为团絮状、网状和棒状等.X射线衍射分析表明,激光照射SiC纳米颗粒原位生长的晶须具有很高的纯度.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
SiC晶须
,
激光照射
,
SiC纳米颗粒
