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原词结果 | 译词结果

InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究

唐田 , 张永刚 , 郑燕兰 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.012

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.

关键词: InGaAsSb , 分子束外延 , 多量子阱 , 光致发光

MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制

唐田 , 张永刚 , 郑燕兰 , 唐雄心 , 李爱珍

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.022

基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.

关键词: InGaAsSb , AlGaAsSb , 应变

放电等离子烧结TiB₂过程中Pa第二峰研究

张东明 , 逄婷婷 , 唐田 , 傅正义

无机材料学报

放电等离子烧结ＴｉＢ２过程中真空室气压Ｐａ有二个峰值，本文对Ｐａ第二峰进行了研究．研究结果表明：Ｐａ第二峰是烧结过程中化学反应导致的气相沉积所致．原始粉末和烧结工艺对Ｐａ第二峰有影响，而Ｐａ第二峰也影响烧结材料的微观结构．

关键词: Pa第二峰 , chemical reaction , influence

用放电等离子技术烧结TiB2陶瓷

张东明 , 逄婷婷 , 唐田 , 傅正义

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.020

利用脉冲大电流快速烧结技术(也称放电等离子烧结SPS技术)研究了TiB2的烧结过程结果表明:升温速率对烧结样品的相对密度、晶粒尺寸及烧结过程中真空室气压均有重要影响.最佳的升温速率使TiB2烧结晶粒相对最小、烧结体相对密度较高.分析认为,在SPS条件下的快速升温有利于颗粒表面活化,烧结体晶粒尺寸既受控于烧结时间,也受控于晶粒生长活化能

关键词: SPS TiB2陶瓷 晶粒尺寸 相对密度 真空室气压

放电等离子烧结TiB2过程中Pa第二峰研究

张东明 , 唐田 , 傅正义

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.015

放电等离子烧结TiB2过程中真空室气压Pa有二个峰值,本文对Pa第二峰进行了研究.研究结果表明:Pa第二峰是烧结过程中化学反应导致的气相沉积所致.原始粉末和烧结工艺对Pa第二峰有影响,而Pa第二峰也影响烧结材料的微观结构.

关键词: Pa第二峰 , 化学反应 , 影响因素

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