吴庆辉
,
唐慧丽
,
苏良碧
,
罗平
,
钱小波
,
吴锋
,
徐军
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.
关键词:
Ge∶β-Ga2O3单晶
,
晶体生长
,
光学浮区法
,
电导率
胡克艳
,
唐慧丽
,
王静雅
,
钱小波
,
徐军
,
杨秋红
人工晶体学报
采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm ×5 mm ×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度.结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在外部弯曲应力下,蓝宝石晶体发生特定晶面的高强解理断裂,位错密度的升高对蓝宝石弯曲强度没有明显损害作用.然而当晶体中出现位错密排结构时,蓝宝石单晶常温弯曲强度迅速下降.
关键词:
导模法
,
蓝宝石
,
位错缺陷
,
弯曲强度
唐慧丽
,
吴庆辉
,
罗平
,
王庆国
,
徐军
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160446
β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差.为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径.采用光学浮区法生长出φ8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga2O3晶体,晶体具有较高的结晶完整性.In3+离子掺杂后,β-Ga2O3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小.室温下,In:Ga2O3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10-4 S/cm和1.005×1016 cm-3,其值高于β-Ga2O3晶体约1个数量级.In:Ga2O3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低.结果表明,In3+离子掺杂能够调控β-Ga2O3晶体的导电性能.
关键词:
In:Ga2O3晶体
,
浮区法
,
电导率
