钱留琴
,
唐为华
功能材料
利用氯化镉(CdC12)、硫脲(CO(NH2)2)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP),在水热条件下获得了玉米棒状和花状等不同形貌的CdS纳米结构.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、荧光发光光谱(PL)、紫外可见光分光光度计(UV-vis)对产物进行表征.结果表明:PVP对不同形貌CdS纳米结构的形成起关键作用,随着PVP量的增加,PVP选择性地吸附(102)晶面,抑制了该(102)晶面方向的生长,使产物的形貌由玉米棒状转变为花状;而花状纳米结构的紫外的吸收产生了红移现象,荧光性能无明显变化.
关键词:
水热法
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CdS
,
纳米结构
符秀丽
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唐为华
稀有金属材料与工程
采用直接热蒸发CdS粉末的方法,在不同的生长条件下制备出CdS纳米线和纳米带材料并对其形貌、结构和光学性质进行了研究.CdS纳米线具有单晶结构,且生长方向具有择优取向,而其纳米带不具有上述结构特征.光致发光光谱研究发现,室温下纳米线只在508 nm出现了CdS的本征发射带.然而,纳米带存在2个明显的发光峰,中心峰位分别位于513 nm和756 nm.这2个发射峰可分别指认为CdS的本征发射和V_s~+空位引起的发射.
关键词:
CdS纳米线
,
CdS纳米带
,
光学性质
刘仁娟
,
张岩
,
张媛
,
沈静琴
,
李培刚
,
唐为华
中国稀土学报
采用Nd:YAG固体激光器在SrTiO3 (STO)衬底上成功制备了具有c轴取向的过掺杂La1.8Sr0.2CuO4和欠掺杂La1.9Sr0.1CuO4超导薄膜.分别对薄膜的晶体结构、电学输运性能进行了研究.通过晶体结构分析表明超导薄膜沿<001>晶向生长,沉积后的薄膜超导转变温度(TC)随着薄膜厚度(20～200 nm)的增加而逐渐升高,显示薄膜由二维特征向三维特征过渡.在双层薄膜La1.8Sr0.2CuO4/La1.9Sr0.1CuO4结构中,其电学输运性能和所加电场的方向有很大关联,反映出电场的方向影响了超导薄膜中空穴载流子的扩散,进而影响了薄膜的超导转变温度和电学输运性能.
关键词:
超导薄膜
,
La1.8Sr0.2CuO4/La1.9Sr0.1CuO4双层薄膜
,
空穴
,
稀土
刘爱萍
,
朱嘉琦
,
唐为华
,
李超荣
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00538
采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0-200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(tar-C:P)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C:P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线,考察ta-C:P薄膜的导电行为.结果表明,磷掺入增加了薄膜中sp~2杂化碳原子含量和定域电子π/π~*态的数量,提高了薄膜的导电能力,且以-80 V得到的ta-C:P薄膜导电性能最好.在293-573 K范围内ta-C:P薄膜中的载流子表现出跳跃式传导和热激活传导两种导电机制.电流-电压实验证明ta-C:P薄膜为n型半导体材料.
关键词:
掺磷
,
四面体非晶碳
,
基底偏压
,
电导率
,
导电机制
