李永峰
,
赵永涛
,
程锐
,
彭海波
,
周贤明
,
李锦钰
,
虞洋
,
王兴
,
任洁茹
,
王瑜玉
,
雷瑜
,
孙渊博
,
刘世东
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.229
实验测量了0.75 MeV的O5+离子穿过一定长度不同原子数密度H2靶后的电荷态分布；理论模拟了出射离子的平均电荷态以及达到平衡后的平均电荷态，得到了与实验吻合较好的结果。研究表明，随着靶原子数密度的增大，离子在碰撞过程中俘获电子的几率随之增加，平均电荷态降低；当靶原子数密度达到或超过1014 cm-3，入射离子俘获电子和被碰撞电离的两个作用过程达到平衡，出射离子的平衡平均电荷态约为1.2。
关键词:
玻尔速度能区
,
高电荷态离子
,
原子数密度
,
电荷态分布
,
平衡平均电荷态
虞洋
,
赵永涛
,
王瑜玉
,
王兴
,
程锐
,
周贤明
,
李永峰
,
刘世东
,
雷瑜
,
孙渊博
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.092
测量了入射能为1.9～11.3 keV/u的O2+离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中，通过改变入射离子的能量和流强，系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明，在本实验的能量范围内，前向、后向电子发射产额与对应表面的电子能损有近似的正比关系，而与束流强度无关。分析还发现引起后向电子发射的动能阈值约为0.2 keV/u，势能电子发射产额约为1 e-/ion。
关键词:
电子发射
,
电子能损
,
离子束流强度
曾利霞
,
徐忠锋
,
赵永涛
,
吴帆
,
刘学良
,
程锐
,
周贤明
,
雷瑜
,
刘世东
,
张艳宁
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.365
在兰州重离子加速器国家实验室测量了1.8 MeV Xeq+离子分别轰击N型和P型Si两种靶材表面时的电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的电荷态，研究了入射离子势能沉积对两种靶材表面电子发射产额的贡献。结果发现同一离子入射时，N型Si表面的电子发射产额高出P型Si表面的电子发射产额约12.5%；对于具有相同入射动能的Xeq+离子，两种靶材表面的电子发射产额均随着入射离子势能的增加而线性增加。此外，还测量了3.4 MeV Xeq+离子分别轰击以上两种靶材时的电子发射产额，得到了类似的结果。本文利用功函数分别从动能电子发射和势能电子发射两个角度对实验结果进行了分析讨论。
关键词:
高电荷态离子
,
电子发射产额
,
阈值速度
,
功函数
