江民红
,
顾正飞
,
刘心宇
,
成钧
,
周秀娟
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2009.03.003
采用粉末烧结法制备了Al/Tb0.3Dy0.7Fe1.95磁致伸缩复合材料,研究了烧结温度对烧结体的显微结构、相组成、磁致伸缩、抗压强度等性能的影响.研究结果表明,600 ℃烧结时,烧结体中仍主要存在Al与GMM合金相,烧结获得较理想的相分布状态.随着烧结温度的增加,复合体中非GMM相越来越多,原始相减少.当1200 ℃烧结时,烧结体中主要存在杂相,已几乎没有GMM相.随着烧结温度的增加,复合材料的λs和抗压强度明显下降,烧结温度为600 ℃时,烧结体的λs和抗压强度最大,分别为405×10-6和61.71MPa.其不足是,复合材料仍呈现明显的脆性特征.
关键词:
粉末烧结
,
磁致伸缩
,
Al/Tb0 3Dy0 7Fe1 95
,
复合材料
,
脆性
周秀娟
,
袁昌来
,
陈国华
,
周昌荣
,
杨云
,
蒙柳方
人工晶体学报
采用传统固相法制备了MnO2掺杂Ca0.16Sr0.04Li04Nd04TiO3微波介质陶瓷,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、网络矢量分析仪和精密阻抗分析仪对微波陶瓷的物相结构、表面形貌、介电性能和电学微结构进行了分析.结果表明掺杂MnO2部分进入Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd04TiO3陶瓷晶格Ti4位中并导致衍射主峰衍射角向高角度轻微偏移,所得陶瓷晶粒大小约5 μm.随着MnO2含量的增加,观察到显著的Mn-Li氧化物杂相,过高的MnO2掺杂使得Ca0.16Sr0.04Li04Nd04TiO3陶瓷晶粒的主要生长方向由(200)变为(220).MnO2含量的增加使得陶瓷介电常数εr从140降至122,品质因子Qf从1450显著升至1960 GHz,谐振温度系数Τf较为稳定且均为40 ppm/℃左右.陶瓷内部由Li+陶瓷表面电学阻抗、晶界阻抗、晶壳和晶核形成的晶粒阻抗构成,其中晶界的电阻贡献主要来自于Li+挥发或析出形成的阳离子空位电导;晶壳和晶核电阻为电子-空穴与氧空位相互耦合形成的电导.微波陶瓷的介质损耗主要来自于晶粒区域晶核的高度半导化各构成电学微结构部件载流子束缚能力大小与活化能规律趋于一致.
关键词:
Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3
,
微波介质陶瓷
,
固相法
,
介电性能
袁昌来
,
刘心宇
,
陈国华
,
杨云
,
骆颖
,
周秀娟
人工晶体学报
采用丝网印刷工艺制备了CuO/BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3共掺Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3热敏厚膜,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜及交流阻抗谱对厚膜的物相、形貌和电学性能进行表征分析.CuO的存在使得厚膜中的BaCo0.02ⅡCo0.94ⅢBi0.94O3出现分解行为和非钙钛矿Ba-Bi氧化物的形成,厚膜主要由大量的颗粒链组成,单个颗粒链主要由Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3构成的小晶粒和低熔点的BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3大晶粒组成.当厚膜中CuO含量添加至10％时,可获得最低的室温电阻率;300 h 150℃下,CuO含量为4％的厚膜老化率约为2.3％.厚膜的电学性能主要来自于晶界的贡献,较低温区内晶界表现为氧空位电导,较高温区下为电子与氧空位耦合电导.
关键词:
热敏厚膜
,
微结构
,
电学性能
林培豪
,
刘烨
,
周秀娟
,
潘顺康
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.018
采用真空悬浮熔炼和高能球磨工艺制备了Al8 Mn5合金粉体，使用 SEM、XRD 和网络矢量分析仪研究高能球磨对Al8 Mn5合金粉体微波吸收特性的影响。结果表明，随着球磨时间的增加，粉体的颗粒及晶粒变细，粉体吸收峰频率向低频移动；样品厚度为1.5 mm时，未经球磨的粉体在13~18 GHz频段内有3个吸收率>90%的吸收峰，呈现出较好的频宽效果；经24 h 球磨后粉体在13.2 GHz 频率处有最大吸收峰，其反射率最小值约为-37.5 dB (吸收率为99.98%)；Al8 Mn5粉体对电磁波的吸波机理与吸波涂层内的电磁损耗和涂层厚度对电磁波的干涉损耗影响有关。
关键词:
MnAl合金
,
吸波材料
,
高能球磨
,
电磁参数
刘心宇
,
江民红
,
周秀娟
,
成钧
,
王仲民
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.054
用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.
关键词:
ZAO薄膜
,
射频磁控溅射
,
溅射时间
,
退火
,
光电性能
袁昌来
,
骆颖
,
周秀娟
,
杨云
,
陈国华
,
刘心宇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13303
采用传统的固相烧结法制备了Yn(Ba08Bi0.2)1-nFe0.9Sn0.1O3负温度系数热敏陶瓷.借助X射线衍射分析仪、扫描电镜、阻温测试仪和交流阻抗分析仪对这类热敏陶瓷的物相、显微结构、阻温特性和阻抗特征进行了表征分析.所得L(Ba0.8Bi0.2)1-nFe0.9Sn0.1O3热敏陶瓷为伪立方钙钛矿结构,粒度约1.0 μm,随Y含量增加晶格常数a变小;其室温电阻率、热敏常数和活化能分别介于2.17～9.17 MΩ·cm、6757～7171 K和0.583～0.618 eV范围内,且均随Y含量增加趋于增大.阻抗分析表明,在n=0.02、0.04时,陶瓷体电阻由晶界、晶壳和晶粒电阻构成,其中晶粒电阻贡献最大;而在n=0.06、0.08时,陶瓷体电阻由晶界、畴壁和电畴三个部分构成,其中电畴区域电阻贡献最大;在限定的测量温度范围内,晶界、晶壳、晶粒、畴壁和畴电阻均表现出负温度系数热敏行为.
关键词:
负温度系数热敏陶瓷
,
Yn(Ba0.8Bi0.2) 1-nFe0.9Sn0.1O3
,
电学性能
,
阻抗分析
杨玲
,
袁昌来
,
许积文
,
周昌荣
,
周秀娟
,
杨云
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.02.003
以压电体(K0.45Na0.55)0.98 Li0.02 Nb0.77 Ta0.18Sb.05 O3和压磁体Co0.85 Cu0.15 Fe2O为原料,通过传统的固相反应法制备了(1-x) [(K0.45 Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05 O3]-xCo0.85Cu0.15 Fe2 O4多铁性复合陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、压电测试仪、铁电测试仪和磁电耦合测试仪对物相、显微结构、压电、铁电、磁电耦合性能进行了分析.结果表明,复合陶瓷的相结构保持为(K45 Na0.55)n98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和Co0.85Cu0.15 Fe2O4两种物相,但两者之间发生了轻微的化学反应.随着Co0.85Cu0.15 Fe2 O4压磁相含量的增加,复合陶瓷的压电系数从56 pC/N减小到21 pC/N,剩余极化强度略有降低.在压磁相含量为0.2时可获得4.3 mV·cm-1·Oe-1的最佳磁电耦合系数.
关键词:
Co0.85Cu0.15Fe2O4
,
(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3
,
磁电耦合
林培豪
,
周秀娟
,
付新涛
中国稀土学报
采用HDDR技术制备NdFeCoB合金磁各向异性磁粉,研究了添加元素Mn,Al和Zr对NdFeCoB合金HDDR磁粉磁性能及磁各向异性的影响. 结果发现:在NdFeCoB合金中加入2%Mn,可提高合金HDDR磁粉的磁各向异性和剩磁,但磁粉的矫顽力和最大磁能积降低;在NdFeCoB合金中,分别加入0.8%Al,0.1%Zr时,可使合金的HDDR磁粉的磁各向异性DOA值从0.23增加到0.5和0.41,但此时磁粉的矫顽力和最大磁能积较低;加入2%Mn,0.8%Al和0.1%Zr,没有改变NdFeCoB合金的相组成;添加Mn,Al,Zr使NdFeCoB合金HDDR磁粉磁各向异性增加,与这些元素的加入提高了硬磁相Nd2Fe14B在氢气中的稳定性有关.
关键词:
HDDR
,
磁粉
,
各向异性
,
稀土
