赵宏健
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薛晶文
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周珏辉
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赵宏伟
材料导报
采用基于局域密度近似的第一性原理方法计算了InP的能带结构和电子态密度,并对InP晶体的电荷分布进行了Mulliken布局分析.计算表明InP是直接带隙半导体材料,其价带主要由In的5s以及P的3s、3p态电子构成,导带主要由P的3p以及In的5s、5p态电子构成;P原子与In原子的电子重叠布局数达2.30,表明In-P键的共价性较强而离子性较弱.利用Kramers-Kronig色散关系对InP的介电函数、能量损失谱、折射率以及吸收系数等进行了计算,计算结果与实验值基本一致.此外,根据计算的能带结构与态密度分析了InP电子结构与光学性质的内在联系,解释了InP材料光学性能的微观机制.
关键词:
InP
,
第一性原理
,
能带结构
,
光学性能
张鹤
,
周珏辉
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张启龙
,
杨辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13014
采用溶胶-凝胶法在玻璃表面制备出ZrO2-SiO2薄膜,然后通过离子交换形成镀膜增强玻璃,研究了薄膜组成对离子交换增强玻璃的力学和光学性能的影响.利用紫外可见分光光度计、激光椭偏仪、纳米压痕、三点抗弯和能谱(EDX)分析了薄膜结构及性能.结果表明:所有薄膜均连续均匀,纯ZrO2薄膜为四方相结构,含Si薄膜为无定形结构；薄膜具有较高弹性恢复率(≥60％)以及H/E比(≥0.1),有利于强度增强；随Si含量增加,可见光透过率增大,但表面硬度和杨氏模量随之降低；0.5ZrO2-0.5SiO2薄膜综合性能最佳:表面硬度为18 GPa,抗弯强度为393 MPa,厚度～45 nm时可见光透过率大于85％.
关键词:
离子交换玻璃
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ZrO2-SiO2薄膜
,
溶胶-凝胶
,
纳米压痕
