郑萍
,
周玉琴
,
景秀年
,
李山林
,
王文虎
,
陈兆甲
,
金华
,
金铎
,
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.009
我们对同一Bi2212晶须样品加不同方向的磁场,比较了H∥b和H∥c两种情况下的I-V曲线.我们发现,当H∥c时,驱动磁通线运动的临界电流Ic与温度的关系遵循一般的单调地随温度上升而下降的关系.但是,当H∥b时, Ic在T*=25.5K附近出现了一个峰值: 当T>T*时,Ic随温度的下降而升高; T
关键词:
王文虎
,
周玉琴
,
郑萍
,
陈兆甲
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.007
在干净的Bi2212超导单晶样品中,使用四引线法进行输运性质的研究(电流方向沿CuO2层),发现当外磁场(⊥ab面)小于0.09T时电阻在正常态电阻的1‰时发生突变,电阻陡降了2到3个量级,对应着一级融化的发生;当外磁场超过临界点(CP)时,电阻随温度的变化曲线出现展宽,磁通液体到磁通固态的相变为二级相变. 我们认为临界点(CP)是晶体中缺陷的函数, 缺陷驱动Bi2212超导单晶的相变由一级向二级转变.
关键词:
王楠
,
张瑜
,
周玉琴
人工晶体学报
薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能.本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理；采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结；通过光发射谱(OES)研究了PECVD在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化,证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响；分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响,在10-4 Pa量级的背景真空和200℃下进行退火,可显著提高电池开路电压Voc和填充因子FF.本文结果表明:硅片前期处理的氧化膜保护工艺及后退火处理,皆可明显地改善HIT电池的界面性质、提高电池的转换效率.
关键词:
硅异质结太阳电池
,
钝化处理
,
等离子体初期不稳性
,
退火处理
,
界面特性
李国荣
,
周玉琴
,
刘丰珍
人工晶体学报
在单晶硅太阳电池的制备中,碱性腐蚀常被用于在晶体硅上形成金字塔结构,减小光的反射,提高太阳电池的效率.获得小而分布均匀的金字塔绒面结构有利于提高太阳电池的转化效率.本文通过优化NaClO织构工艺,获得了金字塔平均尺寸为1.4 μm,平均表面反射率为11.5％的织构绒面,并探索了形成小金字塔的机理.认为NaClO具有一定的氧化性是其形成小金字塔的可能原因.为了研究氧化性在织构中的作用,采用在无氧化性的NaOH溶液中分别通入了氧气和氩气.实验结果表明,在常规的NaOH织构过程中加入氧化剂有助于减小金字塔的尺寸.由于NaClO溶液自身既具有碱性,又具有氧化性,织构时不需要额外地加入氧化剂.与常规织构所用的NaOH溶液相比,NaClO溶液更易得到小而分布均匀的金字塔绒面,更适用于太阳电池的制备.
关键词:
次氯酸钠
,
晶体硅织构
,
织构机制
,
氧化性
