王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
孙道明
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.032
采用传统的固相反应法制备陶瓷试样,借助XRD,SEM和LCR测试仪,研究了V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量V2O5后试样的烧结温度明显降低,相结构仍为立方焦绿石单相,且具有良好的介电性能:介电常数(εr)为135～154,介电损耗(tan δ)为0.0033～0.0007,频率温度系数(τf)为-442～-387(2MHz).
关键词:
V2O5掺杂
,
介质陶瓷
,
烧结温度
,
介电性能
顾永军
,
孙道明
,
李谦
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.019
为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度.文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能.
关键词:
掺杂
,
微波介质陶瓷
,
助烧
,
液相烧结
周焕福
,
黄金亮
,
王茹玉
,
李谦
,
黄清伟
功能材料
研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响.采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌.结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降低介电损耗tgδ,优化介电频率温度系数αε.1000℃烧结8%(摩尔分数) Bi4Ti3O12掺杂的BZN陶瓷具有较好的介电性能:ε=192,tgδ= 4.21×10-4,αε=-3.37×10-4/℃.
关键词:
BZN陶瓷
,
Bi4Ti3O12掺杂
,
烧结特性
,
显微结构
,
介电性能
王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
赵高磊
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.05.020
采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1050℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.50×10-6℃-1.
关键词:
V2O5
,
介质陶瓷
,
烧结温度
,
介电性能
王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
孙道明
,
赵高磊
材料导报
采用传统的固相反应法制备CuO掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪,研究了CuO掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响.结果表明,CuO掺杂能有效降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,优化频率温度系数.1050℃烧结掺杂1.0wt%CuO的ZnNb2O6陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=34,介电损耗tanδ=0.00039,频率温度系数τf=-46.21×10-6/℃.
关键词:
CuO掺杂
,
ZnNb2O6
,
烧结温度
,
介电性能
周焕福
,
黄金亮
,
殷镖
,
孙道明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.019
研究了Sm2O3掺杂的bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(O≤x≤0.6,BSZN),的结构及介电性能.结果表明:纯BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(O＜x≤0.5)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品出现其它相.同时,试样的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化.
关键词:
BZN 基陶瓷
,
立方焦绿石
,
掺杂
,
介电性能
周焕福
,
黄金亮
材料导报
研究了Y3+取代的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xYxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤1.5,BYZN)的结构和介电性能.采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构,SEM分析样品的微观形貌.结果表明:BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Y3+取代量较少(0＜x≤0.3)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Y3+取代量的进一步增加(x≥0.6),样品由立方焦绿石相向YNbO4和ZnO复相过渡.同时,样品的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化.
关键词:
BZN基陶瓷
,
立方焦绿石
,
取代
,
相结构
,
介电性能
