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工艺条件对氧化硅纳米结构的影响

周炽炜 , 蔡克峰 , 殷俊林

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.100

通过金属催化化学气相沉积法,采用四氯化硅作为硅源合成了棒状氧化硅纳米结构.对产物进行了场发射扫描电镜、透射电镜及附带X射线能谱仪的表征测试.生长工艺条件包括沉积位置、反应时间、氩气冲洗次数和基板对产物纳米结构的影响进行了探讨,其中前三者分别影响气相硅源的浓度、获取硅源的量和残余氧的浓度,而基板的成分和表面粗糙度对纳米结构的生长影响显著.

关键词: 氧化硅 , 纳米线 , 纳米棒 , 化学气相沉积