劳晓东
,
刘欣杰
,
韩会民
,
周思华
,
杨大智
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.02.017
针对目前NiTi支架电化学抛光表面形貌不理想的情况, 提出了一种改进的电化学抛光方法(冰醋酸-高氯酸-A-B), 并采用此抛光工艺对NiTi支架(Ti-50.8at.%Ni)进行了电化学抛光. 采用扫描电子显微镜(SEM)表征了抛光工艺对NiTi支架表面形貌的影响, 并利用电化学方法研究了不同表面处理(电化学抛光、机械抛光、酸洗)对同种成分的NiTi试片在Hanks'溶液中腐蚀性能的影响. 研究结果表明, 此工艺下的电化学抛光有效降低了NiTi支架的表面粗糙度, 改善了表面质量;电化学抛光的NiTi试片在Hanks'溶液中耐蚀性的提高也为电化学抛光NiTi支架的应用提供了实验依据.
关键词:
NiTi支架
,
生物相容性
,
电化学抛光
,
表面形貌
,
耐蚀性
孙现科
,
周小东
,
周思华
,
王少辉
,
蒋卫华
,
孙春梅
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.07.009
目的：从原子水平探究Mn掺杂SiC薄膜的磁性起源。方法采用射频磁控溅射技术制备不同掺杂浓度的Mn掺杂SiC薄膜,并采用X射线衍射技术、X光电子能谱、同步辐射X射线近边吸收精细结构技术、物理性质测试系统对薄膜的结构、组分和磁性能进行研究。结果晶体结构和成分分析表明,1200℃退火后的薄膜形成了3 C-SiC晶体结构,且随着Mn掺杂浓度的增加,3 C-SiC晶体的特征峰向低角度移动。在Mn掺杂浓度(以原子数分数计)为3%,5%,7%的薄膜中,掺杂的Mn原子以Mn2+的形式存在；而在9%Mn掺杂的SiC薄膜中,则有第二相化合物Mn4 Si7形成。局域结构分析表明,薄膜中均不存在Mn金属团簇和氧化物,在3%,5%和7%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子主要以代替C位的形式进入3C-SiC晶格中,而在9%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子以C替位形式和Mn4 Si7共存。磁性测试表明,制备的Mn掺杂SiC薄膜具有室温铁磁性,且饱和磁化强度随着Mn掺杂浓度的提高而增加。结论薄膜的室温铁磁性是本征的,磁性来源与掺杂的Mn原子以Mn2+取代SiC晶格中C位后导致的缺陷有关,符合缺陷导致的束缚磁极子机制。
关键词:
磁控溅射
,
SiC
,
Mn掺杂
,
铁磁性
,
缺陷
田灿鑫
,
周小东
,
周思华
,
杨兵
,
付德君
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.08.003
目的：在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构、硬度和耐磨性能的影响。结果 SiH4流量对TiSiN纳米复合涂层的微观结构、硬度及摩擦系数的影响明显。随着SiH4流量的增加,TiSiN涂层由柱状晶生长的晶体结构逐渐转变为纳米晶镶嵌于非晶基体的复合结构。 Si在涂层中以Si3 N4非晶相存在,随着涂层中Si含量逐渐增加,TiN晶粒尺寸逐渐减小,Si3 N4起到细化晶粒的作用。在42 mL/min的SiH4流量下,涂层硬度高达4100HV0.025。在对磨材料为硬质合金的条件下,TiSiN涂层摩擦系数小于0.6。结论 SiH4气氛下可以制备出TiN纳米晶镶嵌于Si3N4非晶相结构的TiSiN纳米复合涂层,涂层的显微硬度较高。 SiH4可以作为Si源用于TiSiN纳米复合涂层的工业化生产。
关键词:
电弧离子镀
,
TiSiN纳米复合涂层
,
SiH4 流量
,
力学性能
,
硬度
,
摩擦系数
周思华
,
晁明举
,
刘奎立
,
郭艳花
表面技术
目的：通过激光熔覆技术,在Q235钢表面原位生成WC-B4 C增强镍基熔覆层。方法以WO3, B2 O3,C和Ni60混合粉末为预涂原料,采用激光熔覆技术原位生成WC-B4 C增强镍基熔覆层,对熔覆层的显微组织和物相构成进行分析,研究其摩擦磨损性能。结果采用合适的工艺参数,通过原位生成WC-B4 C形成的增强镍基涂层形貌良好,与基材呈现较好的冶金结合。熔覆层平均硬度1200HV0.3,摩擦磨损失重仅为纯Ni60熔覆层的1/3。结论熔覆层硬度较高,耐磨性很好。大量原位生成的WC-B4 C增强相及其均匀分布是熔覆层硬度和耐磨性提高的原因。
关键词:
激光熔覆
,
原位生成WC-B4 C
,
显微组织
,
耐磨性
周小东
,
周思华
,
孙现科
材料热处理学报
利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 kV,注入剂量为1×1017 ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700 ～ 1000℃退火处理.研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响.采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注人样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征.实验结果表明,采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法,所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性,同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径.
关键词:
热退火
,
离子注入
,
Au纳米颗粒
,
生长
,
光学性能
