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扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究

谭春华 , 范广涵 , 许静 , 李述体 , 周天明 , 龙永福 , 孙慧卿

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.014

扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段.本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析.结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量.此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据.

关键词: 人工欧泊 , 光子晶体 , 有机金属化学气相沉积 , 扫描电子显微镜

扫描透射电镜对GaInAsSb/GaSb异质结截面的研究

张子旸 , 张宝林 , 周天明 , 蒋红 , 金亿鑫 , 李树玮 ,

功能材料

报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaIn-AsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果.STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊.

关键词: GaInAsSb , 位错 , 层错 , STEM

Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

谭春华 , 范广涵 , 李述体 , 周天明 , 黄琨 , 雷勇

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.025

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.

关键词: 光电子学 , X射线双晶衍射 , 金属有机化学气相沉积 , 量子阱 , 光荧光

入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

郑树文 , 范广涵 , 李述体 , 周天明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.023

利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析.计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系.根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式.分析了从空气和Al0.4Ga0.5In0.1N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异.为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构.分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势.

关键词: 光电子学 , 布拉格反射器 , 传输矩阵法 , GaN基 , 入射介质

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