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蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究

于乃森 , 郭丽伟 , 彭铭征 , 朱学亮 , 王晶 , 贾海强 , 陈弘 , 周均铭

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.004

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力.采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量.另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度.研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度.

关键词: 氮化镓 , 金属有机化学气相沉积 , 微区拉曼光谱

超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性

程兴奎 , 马洪磊 , 周均铭 , 黄绮 , 王文新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.05.017

测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T=77 K时的光电流谱,发现在波数v=1589 cm-1存在一个强电流峰.理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关.据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致.

关键词: 超晶格 , 界面 , 电子反射

掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子的耦合模

程兴奎 , 王文新 , 周均铭 , 黄绮

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.06.017

在T=77 K,测量出掺杂(Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223 cm-1和422 cm-1的两个光散射峰.理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的.这种耦合模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致.

关键词: 超晶格 , 等离子激元 , 纵光学声子 , 耦合模

原位SiNx掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响

李夏南 , 于乃森 , 曹保胜 , 丛妍 , 周均铭

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.002

研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响.通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放.相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移.我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质.

关键词: 氮化镓 , 金属有机化学气相沉积 , 应力 , 原位氮化硅掩膜

GaAs多量子阱的光电流谱

程兴奎 , 周均铭 , 黄绮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.023

在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.

关键词: GaAs量子阱 , 光电流 , 电子干涉

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