周丽萍
,
季勇
,
季红
,
王艾玲
,
郑鹉
,
姜宏伟
功能材料
用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.
关键词:
缓冲层
,
NiCo薄膜
,
各向异性磁电阻
周丽萍
,
申向东
硅酸盐通报
利用内蒙古河套粉质粘土拌制水泥土,掺入比分别取5%、10%、15%、20%、25%,养护龄期取7 d、28 d、60 d、90 d,通过单轴受压试验,取得了水泥土无侧限抗压强度、应力-应变关系的变化规律,并分析了对其影响的因素,提出了这种水泥土的单轴受压下应力-应变全曲线本构方程,定量的分析了龄期、水泥掺入比对水泥粘土的力学性能的影响,为其应用于实际工程提供实验依据.
关键词:
水泥土
,
无侧限抗压强度
,
应力-应变关系
,
变形模量
赵楠
,
周丽萍
,
黄绪传
,
穆海玲
机械工程材料
采用膨胀法在Gleeble-3500型热模拟试验机上测定了BM510L钢在不同冷速下连续冷却时的膨胀曲线及连续冷却转变曲线(CCT曲线);利用光学显微镜、显微硬度计研究了BM510L钢连续冷却过程中奥氏体转变后的组织和显微硬度.结果表明:随着冷速的提高,铁素体转变开始温度降低,珠光体转变终了温度也逐渐降低,当冷速大于1℃·s-1时,组织中开始发生贝氏体转变,当冷速为15℃·s-1时,组织已完全转变为贝氏体组织;随着冷速的提高,其显微硬度逐渐增大.
关键词:
BM510L钢
,
冷却速率
,
连续冷却转变曲线
,
显微组织
刘学伟
,
裴新华
,
周丽萍
,
穆海玲
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2007.04.016
采用光学金相显微镜、超声波探伤和力学性能测试等方法对Cr5支承辊大面积剥落的原因进行了分析.宏观断口和探伤结果表明,该轧辊的剥落面经过了一段疲劳延伸过程,裂纹由硬化层底部起源,沿轧辊圆周,逆轧制方向发展.剥离块为辊身的硬化层,硬化层外表为马氏体,中部为索氏体,硬化层的底部组织为屈氏体.轧辊辊身传动侧存在的轧辊制造问题和热处理工艺不当是该次剥落的原因.
关键词:
支承辊
,
失效分析
,
Cr5
刘学伟
,
裴新华
,
周丽萍
,
穆海玲
物理测试
采用光学金相显微镜、超声波探伤和力学性能测试等方法对Cr5支承辊大面积剥落的原因进行了分析。宏观断口和探伤结果表明，该轧辊的剥落面经过了一段疲劳延伸过程，裂纹由硬化层底部起源，沿轧辊圆周，逆轧制方向发展。剥离块为辊身的硬化层，硬化层外表为马氏体，中部为索氏体，硬化层的底部组织为屈氏体。轧辊辊身传动侧存在的轧辊制造问题和热处理工艺不当是该次剥落的原因。
关键词:
支承辊
,
failure analysis
,
Cr5
吕珺
,
周丽萍
,
汪冬梅
,
吴玉程
,
郑治祥
材料热处理学报
通过溶胶-凝胶法制备了不同Al-F掺杂浓度的ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随着掺杂浓度的变化情况.结果表明:制备的ZnO:F:Al薄膜具有高度的C轴择优取向性,薄膜表面平整、晶粒均匀致密.当Al3+和F-的掺杂浓度皆为0.75at%时,薄膜的平均品粒尺寸最大为43.8nm;导电性能最好,电阻率可低至1.02×10-2Ω·cm;在可见光范围内薄膜的平均透过率超过90%,吸收边出现明显的蓝移现象.
关键词:
ZnO薄膜
,
溶胶-凝胶
,
Al-F共掺杂
,
掺杂浓度
,
光电性能
赵楠
,
穆海玲
,
周丽萍
,
曹博蕊
,
赵建国
机械工程材料
BM510汽车大梁钢板经冷弯加工时在折弯部位外侧出现裂纹;为查找开裂原因,对其进行了化学成分、力学性能、OM、SEM、EDS及连铸工艺分析.结果表明:汽车大梁钢折弯开裂是由于夹杂物异常偏聚造成的;为消除夹杂物异常偏聚采取的主要措施是控制连铸过程中的拉速,避免拉速波动过大.
关键词:
BM510钢
,
冷弯开裂
,
夹杂物
周丽萍
,
于凤梅
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.06.008
研究了正切平方势阱中的子带光吸收,用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法推导出了正切平方势阱中线性和三阶非线性光学吸收系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs正切平方量子阱为例进行数值计算.计算结果表明,该势阱中的势阱宽度b、势阱深度V0和入射光强I对吸收系数有很大影响.随着势阱宽度b的增加和势阱深度V0的减小,总吸收系数的峰值减小并且向低能方向移动.随着入射光强I的增加,总吸收系数会减小,出现了光饱和吸收现象,同时吸收谱线的线宽随着入射光强的增大而增大.
关键词:
非线性光学
,
光吸收系数
,
密度矩阵方法
,
正切平方势阱
