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基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术

吴 , 巩全成 , 贾世星 , 王敏杰 , 张勇 , 朱健

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.021

三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术.基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件.总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀.三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础.

关键词: GSG键合 , 研磨抛光工艺 , 微流体器件

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