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VInH4在InP材料中的影响

孙聂枫 , 杨光耀 , 吴霞宛 , 曹立新 , 赵权 , 郭维廉 , 赵有文 , 孙同年

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.004

在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响.

关键词: InP , VInH4 , 补偿

一种设计无机介质材料介电性能的新方法

李玲霞 , 吴霞宛 , 张志萍 , 王洪儒

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.06.004

选用低介电常数的无机介质材料ZnO-B2O 3-SiO2三元系统,进行了XRD和介电性能定量关系的研究,系统的主、次晶相为SiO 2、Zn2SiO4相.调整各组分,获得了超低介电常数的介质陶瓷,其介电性能为:ε≈5,tgδ≤5×10-4,αc≤0±30ppm/℃,IR≥1012Ω,烧结温度为1140℃.通过对系统所进行的X-射线衍射分析,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法,并代入李赫德涅凯对数混合定则,计算出系统的介电性能,从而获得了一种设计无机材料系统介电性能的新方法.

关键词: ZnO-B2O3-SiO2系统 , 超低介电 , 常数 , X-射线衍射分析 , 衍射峰强度 , 设计材料介电性能

固相法合成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的研究

郭秀盈 , 肖谧 , 王洪儒 , 吴霞宛 , 张之圣

无机材料学报

以不同固相合成工艺制备了Ag(Nb0.8Ta0.2)O3粉末, 并对其压片烧结后样品的XRD和SEM图进行了分析, 对成瓷性较好的样品的介电性能进行了测试. 结果表明: 不同工艺均可合成具有钙钛矿结构的Ag(Nb0.8Ta0.2)O3(ANT)样品, 但对样品成瓷性影响很大. 通过先将Nb2O5、Ta2O5在1200℃煅烧, 然后再同Ag2O反应生成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的合成工艺, ?在较低的烧结温度下, 就可烧制成粒径均匀、致密的陶瓷, 相比其他工艺合成?的样品, 其介电常数(ε)得到了提高, 介电损耗(tanδ)变小, 为最佳合成工艺.

关键词: 钽铌酸银 , solid-state reaction methods , dielectric properties

工艺对中温烧结高介高稳定MLC介质电性能的影响

谢磊 , 吴霞宛 , 王洪儒 , 董向红

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.01.002

研究了工艺对BaTiO3基、中温烧结的高介高稳定MLC介质系统电性能的影响.随着BaTiO3合成温度的提高,系统介电系数先升后降,介电系数的变化率一直呈上升趋势,过烧时,瓷料系统的ε-T曲线会成单峰,采用硬度高的锆球作磨球,有助于提高瓷料的介电系数,降低介电系数的变化率.

关键词: 中温烧结 , 高介高稳定 , MLC介质 , 工艺

BaO-Nd2O3-TiO2系陶瓷材料的研究

朱征 , 吴霞宛 , 王洪儒 , 李玲霞 , 袁廷志

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.06.020

以BaO-Nd2O3-TiO2为主要研究体系,以Bi2O3,PbO为添加剂,研究了系统的成分配比和工艺对瓷料的介电性能的影响,成功研制出了性能优良的高频、高Q的MLC陶瓷材料.研究结果表明,当BaO:Nd2O3:TiO2的摩尔比为1:1:5时,可在中温范围内(≈1160℃)制成介电常数ε≈98, 介电损耗tg δ≈1.3×10-4(Q≈8000), 电容量的温度系数αc≈30ppm/℃,绝缘电阻IR>1013Ω的高频、高Q的MLC陶瓷材料;当BaO:Nd2O3:TiO2的摩尔比为1:1:4.5时,可在较高温度范围内(≈1200℃)制成介电常数ε≈93,介电损耗tg δ≈0.8×10-4(Q≈10000),电容量的温度系数αc≈10ppm/℃,绝缘电阻IR>1013Ω的高频、高Q的MLC陶瓷材料.

关键词: BaO-Nd2O3-TiO2系统 高频 高Q MLC材料

改性PFN-PFW*系MLC瓷料反应机理和电性能的研究

包兴 , 崔靖杰 , 董向红 , 吴霞宛

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.05.010

本文研究了复合钙钛矿PFN-PFW系统的介电性能.采用控制最佳预烧温度和添加稳定剂以及传统的陶瓷工艺一步合成法,制备出的MLC**瓷料,钙钛矿相含量接近100%,介电性能完全符合Y5V特性,制成圆片电容器烧结温度≤950±20℃.ε=20000±2000,tgδ≤1.0×10-2,△C/C≤60%(-30℃~+85℃),IR≥1010Ω;在Polamar线上制成MLC,其烧结温度为940±10℃,ε=25000±1000,tgδ≤1.5×10-2,△C/C≤60%(-30℃~+85℃),IR≥1010Ω.按新国标进行例验,产品全部合格.

关键词: 复合钙钛矿 , Y5V , MLC

稀土元素及金属氧化物掺杂对BaTiO3系统耐压性能的影响

朱浩波 , 李玲霞 , 吴霞宛 , 王洪儒 , 张志萍

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.03.027

研究了稀土元素Er2O3掺杂对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响.其在BaTiO3晶粒中可抑制晶粒生长,使尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率.ZnO的加入使瓷料形成致密的细晶结构,有效地阻止了晶粒过度长大,改善了微观结构,减小了因气孔而造成的击穿,提高了耐压强度.

关键词: 稀土元素 , 细晶效应 , 耐压

湿化学法ANNT纳米前驱体的反应机理与微观分析

李玲霞 , 郭炜 , 吴霞宛 , 王洪儒 , 张志萍

无机材料学报

利用柠檬酸盐法制备了(Ag1-xNax)(Nb1-xTax)O3(简称ANNT)纳米粉体材料,通过TEM分析可观察到其颗粒度<50nm,且团聚较小.论文对柠檬酸盐法的反应机理进行了深入地探讨,分析了不同烧结温度下的显微结构变化,证实ANNT系统可在1040-1060℃范围内致密化.XRD分析结果表明系统中所生成的主晶相为ANNT.

关键词: 柠檬酸盐法 , (Ag1-xNax)(Nb1-xTax)O3 , nanomaterials

高频高压高介MLC瓷介的研究

陈长庆 , 吴霞宛 , 王洪儒 , 袁廷志

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.02.010

对CaTiO3-SrTiO3系统进行了深入的研究,结果表明:由于SrTiO3和CaTiO3均具有钙钛矿型结构,可形成有限型固溶体.通过调节Sr/Ca的摩尔比可以得到一种性能优良的高频瓷料.适量的Bi3+的引入可以与Sr3+形成不等价取代将有利于介电常数的进一步升高,同时也有利于介电常数温度系数的绝对值的减小.研究表明该系统的烧结温度应该在1280℃.

关键词: 不等价取代 , 钙钛矿 , 固溶体

厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究

李玲霞 , 郭炜 , 吴霞宛 , 王洪儒 , 张志萍 , 余昊明

稀有金属材料与工程

利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1 290℃烧结时介电常数达到5 000以上,容量变化率△C/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1 150℃),介电常数大于3 600,容量变化率△dC≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备.

关键词: 先驱体 , NiNb2O6 , MnNb2O6 , EMI , 滤波

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