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四叔丁基四氮杂卟啉铅旋涂膜的气敏性研究

左霞 , 王彬 , 吴谊群 , 陈志敏 , 韦永德

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.017

采用可溶性的四叔丁基四氮杂卟啉铅[PbTAP(t-Bu)4],利用旋涂技术制备了四叔丁基四氮杂卟啉铅配合物旋涂膜,并对旋涂膜进行了红外光谱、电子吸收光谱分析.PbTAP(t-Bu)4在近紫外区(300~400nm)及可见区(500~700nm)有强吸收带,膜与配合物溶液相比电子吸收光谱谱带明显变宽并略有红移.四叔丁基四氮杂卟啉铅配合物旋涂膜对NH3和NO2气体的气敏性研究结果表明:该旋涂膜具有较好的气敏性,PbTAP(t-Bu)4旋涂膜对NH3的灵敏度大约是NO2的2倍,在10s内就可以达到平衡值,并且表现出较好的响应和恢复能力,而对NO2气体表现出较差的可逆性.

关键词: 四叔丁基四氮杂卟啉铅 , 旋涂膜 , 气敏性

激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化

孙华军 , 侯立松 , 吴谊群 , 魏劲松

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01111

研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化, 当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107~103Ω/□)的突变; 对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试, 结果表明, 随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数, 在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态>n中间态>n晶态, k晶态>k中间态>k非晶态, α晶态>α中间态>α非晶态, 结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.

关键词: Ge2Sb2Te5薄膜 , laser-irradiation , electrical/optical properties , optical constants , phase change

偶氮染料:新型高密度、多功能光盘存储介质

魏斌 , 吴谊群 , 顾冬红 , 干福熹

功能材料

偶氮染料在短波区具有优良的光学和热学性质以及光致顺反异构特性,既是一类新型高密度可录光盘存储介质,又是一类可望作为可擦重写的光盘存储介质.本文在总结近几年最新研究成果的基础上,分别阐述了偶氮染料作为高密度可录光盘和可擦重写光盘存储介质的作用机理以及对记录介质的基本要求,讨论了影响偶氮染料光学、热学性质以及光存储性能的主要因素,并对未来的发展趋势作了展望.

关键词: 偶氮染料 , 高密度光存储 , 可录型光盘 , 可擦重写型光盘

沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响

孙华军 , 侯立松 , 缪向水 , 吴谊群

稀有金属材料与工程

在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge_2Sb_2Te_5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min).用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650 nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系.结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态:在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge_2Sb_2Te_5,在300℃时出现少量的六方相:低于140℃时易形成非Ge_2Sb_2Te_5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因.

关键词: Ge_2Sb_2Te_5薄膜 , 沉积温度 , 结构 , 电/光性质

2-氨基-6-乙氧基苯并噻唑类偶氮染料及其金属鏊合物的合成及光学热学性能研究

陈文忠 , 吴谊群 , 顾冬红 , 干福熹

功能材料

合成了2-(2-氨基-6-乙氧基苯并噻唑基偶氮)-5-(N,N-二乙基氨基)三氟甲基磺酰苯胺偶氮染料(EBTDATFS)及其与乙酸镍、乙酸钴、乙酸铜、乙酸锌等金属盐鏊合的金属鏊合物.通过红外光谱、紫外-可见吸收光谱和MALDI质谱等对染料及其金属鏊合物进行了结构表征;使用旋涂方法在K9玻璃和抛光的单晶硅基片上制备薄膜;研究了镍金属鏊合物的热学性能;使用椭偏仪研究了Ni和Zn鏊合物的光学常数.结果表明:4种金属鏊合物薄膜最大吸收光谱为621~629nm,且长波边吸收峰陡峭;TGA-DSC测试结果表明镍金属鏊合物具有较高的分解温度(325℃)和较大的分解速率(在16℃温度范围类质量百分比减少了56%),且热重分析曲线陡峭;该染料的Ni和Zn鏊合物具有较大的折射率n和较小的消光系数k.因此该染料的金属鏊合物具有良好的光热性能,有望用于具有超分辨近场结构(Super-RENS)的NVD光盘记录层用材料的研究.

关键词: 金属鏊合物 , 吸收光谱 , 热学性能 , 光学常数 , NVD

新型电子转移复合物Cu-TCNQ(C2H4 COOCH3)2的制备及其薄膜的绿光可擦重写光存储性能的研究

黄伍桥 , 吴谊群 , 顾冬红 , 干福熹

功能材料

报道了高溶解性能的电子转移复合物铜-(2,5-二丙酸甲酯-7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷);并对其紫外可见光光谱进行了研究.用旋涂工艺制备了Cu-TCNQ(C2H4COOCH3)2薄膜,并对该薄膜的可擦重写光存储性能及其机理进行了研究.短波长(514.5nm)静态可擦重写光存储性能测试结果表明:在写入功率为9mW,写入脉冲为80ns,擦除功率为4mW,擦除脉冲为500ns时反射率对比度>15%(无反射膜),循环次数可达110次以上,并且没有出现任何疲劳现象.

关键词: CuTCNQ脂类衍生物旋涂膜 , 可擦重写性能 , 高密度光存储

激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化

孙华军 , 侯立松 , 吴谊群 , 魏劲松

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.005

研究了激光辐照引起Ge2Sb2Tes非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107~103Ω/口)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态>n中间态,k晶态>k中间态>k非晶态,α晶态>α中间态>α非晶态,结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.

关键词: Ge2Sb2Te5薄膜 , 激光辐照 , 电/光性质 , 光学常数 , 相转变

偶氮金属螯合物的合成及其光学和热学性质

魏斌 , 吴谊群 , 顾冬红 , 干福熹

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2004.02.005

合成了3种新型偶氮染料:2-(4-甲基-2-噻唑基偶氮)-5-(二乙胺基)苯酚(MTADP)及其镍螯合物(Ni-MTADP)和锌螯合物(Zn-MTADP).采用元素分析、MS、FT-IR和FT-Raman技术进行了结构表征.紫外/可见吸收光谱分析表明,金属离子与MTADP形成螯合物后,在薄膜中最大吸收峰红移60~70 nm,而且Ni-MTADP比Zn-MTADP有10 nm的红移.TG分析表明,Ni-MTADP和Zn-MTADP的分解温度分别为331和 295℃.

关键词: 噻唑基偶氮金属螯合物 , 合成 , 光学性质 , 热学性质

轴向为烷氧基配位的萘酞菁硅配合物的光谱及光稳定性

牛晓宇 , 吴谊群 , 陈耐生 , 黄金陵

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.02.009

研究了4种轴向为烷氧基配位的萘酞菁硅配合物(NcSi(OR)2,R为CH3、C2H5、C3H7和C4H9)在DMSO、DMF、CH2Cl2中的Q带吸收光谱和光降解动力学及其稳定性. 研究结果表明,这4种萘酞菁配合物在相同溶剂中随着轴向配位烷氧基碳链的增长其最大吸收波长逐渐增加,并且在DMSO、CH2Cl2溶剂中随着轴向配位烷氧基碳链的增长光稳定性逐渐增强;对于同一配合物,溶剂对其光稳定性影响顺序为:DMSO>CH2Cl2>DMF.

关键词: 萘酞菁硅 , 轴向烷氧基配位 , 光谱性质 , 光稳定性

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