郑红军
,
卜俊鹏
,
曹福年
,
白玉柯
,
吴让元
,
惠峰
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.001
采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度.比较两种方法测量结果上的差异,得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度,而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论.
关键词:
砷化镓
,
切片
,
磨片
,
抛光片
,
表面损伤层
