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吴艳军 , 张亚非 , 杨忠学 , 吴建生
无机材料学报
介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法. 制备了直径为10-40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.
关键词: SiC纳米晶须 , preparing technology , nano-electronic material
杨为佑 , 陈振华 , 吴艳军 , 孙亦
材料导报
研究了半固态非枝晶组织的两个基本特性:流变性和触变性,分析了影响流变性和触变性大小的各个因素,总结了国内外学者针对流变性和触变性建立的几种有代表性的模型.对理解半固态加工技术的两个基础理论有一定的帮助.
关键词: 半固态 , 非枝品组织 , 流变性 , 触变性 , 模型
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.036
介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法.制备了直径为10～40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.
关键词: SiC纳米晶须 , 制备技术 , 纳米电子材料
