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Ce-Ga-Cu系非晶合金的热力学研究

李宁 , 姜维新 , 吴继礼 , 屈冰雁 , 李冬冬 , 王雷 , 周如龙 , 张博

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.14.032

通过差示扫描量热仪(DSC)利用三线法求出Ce70GaxCu30-x(x=4,6,10,12,15)系非晶合金过冷液体、熔体和晶体的热容及液体和晶体的热容差(△Cp),并计算出液体相对于晶体的过剩焓(△Hexc)、过剩熵(△Sexc)和Gibbs自由能之差(△G1-s).结果显示,对应于Ce-Ga-Cu系非晶合金低的玻璃转变温度(Tg),其液体的Kuazmann温度(TK)也较低.Ce-Ga-Cu系非晶合金的热力学参数△Hexc、△Seexc和△G1-s都随着Ga含量的增加而减小,这与玻璃形成能力(GFA)的变化趋势不相符.这说明对于Ce-Ga-Cu非晶合金体系,热力学驱动力不是控制非晶形成的主要因素,其他因素(比如动力学因素)可能是形成能力的关键因素.

关键词: Ce-Ga-Cu系非晶合金 , 热容 , Gibbs自由能 , 形成能力

微量添加In对铜基块体非晶合金在3.5% NaCl溶液中耐蚀性的影响

皮锦红 , 潘冶 , 吴继礼 , 贺显聪

稀有金属材料与工程

研究了铜基块体非晶合金Cu55-xZr37Ti8inx (x=0~5,at%)及Cu61-xZr34TisInx (x=0~3,at%)在质量分数3.5% NaC1溶液中的耐蚀性.极化曲线结果表明,在铜基非晶合金中添加In元素能明显提高合金的腐蚀电位、降低腐蚀电流密度,即能明显提高耐蚀性.含In的铜基块体非晶合金的腐蚀电流密度(Icorr)值比不含In的铜基块体非晶合金低约1个数量级.而且,利用In适量取代Cu可进一步提高耐蚀性.但过量添加In不利于形成富Zr保护膜,从而降低合金的耐蚀性.

关键词: 铜基块体非晶合金 , 非晶材料 , 极化曲线 , 腐蚀

Cu-Ti合金与H2O2直接氧化法制备Cu掺杂TiO2薄膜

王先飞 , 潘冶 , 吴继礼 , 李星洲

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.01.004

以Cu-Ti合金为基体,采用含H2O2溶液直接氧化法制备Cu掺杂TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜形貌、化学成分和相组成进行分析.结果表明:所制薄膜通过溶解-沉积机理形成,合金表面先沉积Cu掺杂的非晶态TiO2薄膜,经空气中450℃热处理1h获得Cu掺杂的锐钛矿型晶态TiO2薄膜.含H2O2溶液中需加入一定量聚碳酸酯或聚乙烯乙酸酯,以促进非晶态TiO2在合金表面的沉积.所制薄膜对罗丹明B具有优异的光催化降解作用,在12W紫外光下照射4h后,Cu30Ti70合金表面形成的薄膜对罗丹明B溶液(20mg/L)的降解率达到31.7%.

关键词: TiO2 , 半导体薄膜 , 光催化 , 化学合成

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