陈晓波
,
李崧
,
康栋国
,
王水锋
,
宋增福
,
陈鸾
,
吴正龙
,
马辉
,
李辉
,
郭敬华
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.02.005
以荧光光谱为手段,研究了药物利复星(Levofloxacin)与牛血清白蛋白(BSA)的作用和影响,研究了它的荧光淬灭现象.在向该溶液滴加利复星时,观察不到激发峰的明显移动,而发射峰出现了新颖的现象,原有的353.1 nm的发射峰强度明显的减弱;新出现了峰位位于450.4 nm的新的荧光发射峰.利复星-BSA体系的猝灭过程不是因为分子扩散和碰撞所引起的动态猝灭,而是分子之间结合形成了化合物所引起的静态猝灭.利复星的离解常数为Kd=3.39×10-5mol/L.利复星的能量转移效率为50%时给体和受体之间距离的R0=1.81×10-7cm,利复星和牛血清白蛋白的能量转移效率为E=0.351,根据这些计算结果可以知道利复星和牛血清白蛋白的色氨酸残基的结合位置为r=2.01×10-7cm.
关键词:
光谱学
,
利复星
,
荧光猝灭
,
牛血清白蛋白
,
结合位置
王彬
,
薛文斌
,
吴杰
,
金小越
,
吴晓玲
,
吴正龙
,
李永良
材料热处理学报
采用液相等离子体电解渗入技术在30％硼砂电解液中在Q235低碳钢表面进行硼碳共渗(PEB/C)快速硬化处理,研究与ZrO2、Si3N4组成两种摩擦副及5N、10N、15N3种载荷条件下PEB/C渗层的摩擦磨损特性.结果表明,PEB/C处理可以明显降低Q235钢基体在干摩擦条件下摩擦系数和磨损率.当与ZrO2球对摩,载荷为5N时,PEB/C渗层的摩擦系数只有0.15,磨损率减少为9.10 ×10-7mm3/N.m,摩擦系数和磨损率分别是Q235钢基体的1/4和1/19.载荷增加时,PEB/C渗层的磨损率也随之增加,但它与Si3N4对摩的磨损率要比ZrO2对摩高.在不同载荷下,PEB/C渗层与ZrO2和Si3N4对摩的磨损机制主要为粘着磨损.PEB/C渗层耐磨性较高的原因是Q235低碳钢表面形成了硬度高达1800 HV的Fe2B渗硼层.
关键词:
等离子体电解渗
,
硼碳共渗
,
摩擦磨损
,
Q235低碳钢
王彬
,
薛文斌
,
金小越
,
吴杰
,
华铭
,
吴正龙
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2014.06.006
采用液相等离子体电解渗方法对Q235低碳钢进行硼碳共渗(PEB/C)处理,研究了Q235低碳钢表面硼碳共渗层的形貌、结构和显微硬度.评估了PEB/C处理前后Q235钢的电化学腐蚀性能,以及以GCr15钢球作为摩擦副在不同载荷条件下PEB/C渗层的摩擦磨损特性.结果表明,经过PEB/C处理后(330V/30min),形成厚度约为20μm并主要由Fe2B相组成的渗硼层.PEB/C处理轻微提高了Q235钢的耐腐蚀性能,但明显降低了Q235低碳钢与GCr15钢球对磨的摩擦因数和磨损率.当载荷为5N时,PEB/C样品的摩擦因数和磨损率分别是Q235钢基体的1/4和1/59.
关键词:
等离子体电解渗
,
硼碳共渗
,
腐蚀
,
摩擦磨损
吴正龙
,
杨百瑞
人工晶体学报
在室温(290 K)和低温(25 K)下,测量了从11～40 kV的一系列管电压下X射线激发纯CsI和CsI (Tl)晶体的辐照致发光(RL)谱.结果表明:在固定温度下,管电压变化后, 305 nm和340 nm的本征发光带和580 nm的非本征发光带的形状结构均不发生变化,只是其强度发生变化.对所测得的各发光带强度随管电压的变化关系用抛物线模型进行了拟合分析,得到了较好的结果.同时还发现纯CsI和CsI (Tl)晶体中所有本征RL发光带强度与X射线强度基本上成正比关系,而当管电压增加时,CsI (Tl)晶体中非本征发光带强度的增加速度慢于本征发光带.分析认为,290 K时这可能与样品中另一个位于400 nm左右的发光带有关;而在25 K时则可能和H心与VK心的竞争有关.
关键词:
辐照致发光
,
CsI
,
CsI (Tl)
,
曲线拟合
孙佳
,
覃礼钊
,
张旭
,
吴正龙
,
王浩琦
,
程南璞
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.025
离子束改性技术在先进陶瓷材料方面的应用效果突出.在阐述离子束改性原理的基础上,综述了该技术在先进陶瓷薄膜材料微观结构与组织,力学性能和摩擦学性能方面的应用.离子束改性是一种高能高效的掺杂改性手段,在辅助制备高质量薄膜、改善薄膜力学和摩擦力学方面有着显著的优势.深入了解离子束与薄膜原子的作用机制,精确调配薄膜的微观结构和组成,降低成膜质量的不确定性,是未来离子束改性先进陶瓷薄膜的研究重点.
关键词:
离子束改性
,
先进陶瓷
,
陶瓷薄膜
,
结构
,
力学性能
李庚伟
,
吴正龙
,
邵素珍
,
刘志凯
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.02.027
为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O):n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.
关键词:
ZnO/Si异质结构
,
氧离子束辅助PLD
,
X射线光电子能谱(XPS)
覃礼钊
,
张旭
,
吴正龙
,
刘安东
,
廖斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00789
为研究磁过滤阴极弧制备的四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon, ta-C)膜在自然环境中使用的热稳定性, 将ta-C膜在空气中退火3h, 退火温度分别为200、400和500℃. 用XPS和Raman谱对膜的微观结构进行表征. 结果表明, 在400及400℃以下退火, XPS谱C1s峰和Raman谱都没有明显变化. 当退火温度为500℃时, C1s峰峰形仍然没有变化; Raman峰ID/I G增大, G峰峰位未变, 峰的对称性变好. 分析显示膜中石墨颗粒长大, 但没有发生石墨化. 说明磁过滤阴极弧制备的ta-C膜因不含氢和结构致密而表现出良好的热稳定性. 另外, 在退火温度为500℃时, 样品边缘已经氧化挥发.
关键词:
热稳定性
,
filtered cathodic vacuum arc deposition
,
ta-C film
,
microstructure
王亚芳
,
张昊
,
吴星艳
,
吴正龙
人工晶体学报
本文分别测量了四种稀土离子(Eu3+、Pr3+、Nd3、Er3+)掺杂BGO晶体的荧光光谱,并对晶体的发光机制进行了分析.结果表明,掺杂稀土元素的离子半径是影响BGO晶体发光效率的重要因素之一.
关键词:
锗酸铋晶体
,
荧光光谱
,
稀土掺杂
