张永爱
,
林金阳
,
吴朝兴
,
郑泳
,
林志贤
,
郭太良
功能材料
利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功制备平行栅场发射阴极阵列,用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构,并测试所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能.光学显微镜和场发射电子显微镜测试表明,平行栅结构阴极和栅极交替地分布,同一个平面内,CNTs有选择性地沉积在平行栅结构中的阴极表面.场发射测试表明,平行栅CNTs场发射阴极的开启电压为 155V,发射电流高达268μA,场发射特性完全由栅压控制;此外,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,开启电压更低,发光均匀性更好,具有更好的发射特性.
关键词:
碳纳米管
,
平行栅
,
场发射
,
电泳
,
丝网印刷
张永爱
,
林金阳
,
吴朝兴
,
郑泳
,
林志贤
,
郭太良
功能材料
利用热蒸发和丝网印刷技术在玻璃基底上成功制备了氧化锌纳米线表面传导场发射阴极阵列,并测试其场发射性能。扫描电镜表明,在氩气和氧气流量分别为60和1mL/min,反应温度550℃保温30min条件下制备的氧化锌纳米线均匀垂直生长在玻璃基底上,直径大约在80～200nm,长度〉7μm。场发射测试表明,在阳压2000V和阴阳间距为500μm时,ZnO纳米线表面传导场发射阴极的开启电压为70V;在栅压为96V时,电子发射效率为26.2%,高于传统报道的表面传导电子发射器件,在经过80min的老练后发射接近稳定,平均发射电流接近135μA,表明ZnO纳米线表面传导场发射阴极有着稳定高效的场发射性能。
关键词:
氧化锌
,
表面传导场发射
,
热蒸发
,
丝网印刷
,
场发射特性
郑泳
,
张永爱
,
吴朝兴
,
文亮
,
谢剑星
,
郭太良
人工晶体学报
以硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O和六次甲基四胺(HMT)为原料,通过水热法制备出氧化锌纳米棒,研究了反应时间和冷却时间对产物形貌和尺寸的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、紫外-可见光谱、红外光谱(FT-IR)表征产物的结构和性能.结果表明,反应时间为6 h和急速冷却至室温条件下合成样品为六方纤锌矿氧化锌纳米棒,平均直径为300 nm;样品具有良好的结晶质量和发光性能,样品在200～400nm有较强的紫外吸收性能;FT-IR图谱表明产物在430 cm-1左右出现了Zn-O特征吸收峰,并有所红移;样品的开启场强为2.2 V/μm,场增强因子为2550,当场强为4.75 V/μm时,电流密度可以达到0.7 mA/cm2,是一种性能优良的冷阴极电子发射源.
关键词:
氧化锌
,
水热法
,
光致发光
,
场发射
杨雄
,
胡利勤
,
吴朝兴
,
陈勇
,
林志龙
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.02.008
模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器.采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数.取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54 mm×54 mm的单色显示屏.在阳压为1500 V、栅压为300 V时,器件发射电流密度达到5μA/c㎡.该器件制作成本低,稳定性和均匀性良好,可矩阵寻址实现字符显示.
关键词:
丝网印刷
,
后栅
,
ANSYS
,
场发射显示器
,
仿真
吴朝兴
,
李福山
,
郭太良
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.003
采用旋涂技术、光刻技术、蒸发镀膜技术制备以图形化石墨烯∶聚合物复合薄膜为活性层,具有氧化铟锡/石墨烯∶聚合物/铝交叉型夹层结构的阻变器件.采用光刻胶为有机基体,实现阻变层的可图形化；通过优化石墨烯浓度,获得具有优良性能的可擦写非易失性阻变存储器件,讨论其阻变机制.实验表明,当石墨烯浓度为0．01％(质量分数)时,器件具有最佳的阻变特性,其开关比达8．9×103,且表现出良好的数据维持能力.
关键词:
石墨烯
,
阻变存储器件
,
图形化
,
有机/无机杂化
