吴春瑜
,
沈桂芬
,
王颖
,
朱长纯
,
李玉魁
,
白纪彬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.002
在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层.通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析.结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC.SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成.
关键词:
SiC
,
离子束合成
,
能量损失谱
邓冬梅
,
吴春瑜
,
王金延
,
文正
,
郝一龙
,
王阳元
稀有金属材料与工程
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360nm～377nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制.实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响.基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的.
关键词:
空穴陷阱
,
电子陷阱
,
光电导
,
复合
邓冬梅
,
吴春瑜
,
王金延
,
文正
,
郝一龙
,
王阳元
稀有金属材料与工程
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360nm～377nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制.实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响.基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的.
关键词:
空穴陷阱
,
电子陷阱
,
光电导
,
复合
王颖
,
吴春瑜
,
曹菲
,
刘云涛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.028
建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型,对其进行了工艺模拟和器件模拟.模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素.通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的杂质总量,降低GCT的通态压降.n 基区 的寿命变化对器件的通态压降影响十分明显,辐照剂量的选取要折衷关断时间和通态压降的要求.
关键词:
缓冲层
,
透明阳极
,
通态压降
,
寿命控制
