金绍维
,
顾伟伟
,
周先意
,
吴文彬
,
翁惠民
,
朱长飞
,
叶邦角
,
韩荣典
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.02.003
用单能慢正电子束,测量了不同氧分压下生长的La0.7Sr0.3MnO3外延膜的S参数与入射正电子能量E的关系.结果发现La0.7Sr0.3MnO3外延膜中S参数与氧分压是非单调变化的;这与沉积氧分压的两种作用相关联的.在氧分压较高的LSMO薄膜中, 空位浓度的增加主要是由沉积原子(离子)与氧原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;在低氧分压的LSMO薄膜中, 空位浓度的增大则主要是提供成膜所需要的氧原子缺乏,从而导致氧空位及其相关缺陷增加.
关键词:
缺陷性质
,
外延薄膜
,
增电子湮灭
訾玉宝
,
焦兴利
,
王海峰
,
刘亲壮
,
殷志珍
,
张福恒
,
黄振
,
吴文彬
低温物理学报
本文利用脉冲激光沉积技术在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(001)衬底上生长了BiFe1-xMnxO3(x=0～5%)外延薄膜,研究了Mn掺杂对BiFeO2(BFO)薄膜结构、铁电特性和漏电流的影响.XRD和SEM结果表明薄膜具有良好的结晶质量.漏电流测量显示Mn掺杂有效地减小了BFO薄膜的漏电流密度,因而在室温下5%Mn掺杂的BFO薄膜能够获得饱和的电滞回线.XPS分析证明,Mn掺杂改善BFO薄膜性能的可能原因在于其极大地减少了BFO薄膜中的Fe2+离子.
关键词:
铁酸铋
,
多铁
,
铁电
,
漏电流密度
,
锰掺杂
,
脉冲激光沉积
刘亲壮
,
焦兴利
,
王海峰
,
吴文彬
低温物理学报
本文利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶衬底上生长了Sb掺杂BaSnO3(BSSO)外延薄膜.结构和输运性质测量结果显示BSSO薄膜是一种具有立方钙钛矿结构导电性很好的薄膜材料,80K时呈现金属一绝缘体转变,室温下薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率分别为ρ=2.43 mΩcm,n=1.65×1021 cm-3和μ=1.75 cm2/Vs.以BSSO薄膜为底电极制备了具有比较好电滞回线的Pb(Zr0.52Ti0.48)03和Bi(Mn0.05Fe0.95)O3铁电电容器,表明BS-SO薄膜是一种具有应用前景的新型电极材料.
关键词:
电极
,
锡酸盐
,
铁电电容器
阿日木申
,
松林
,
吴文彬
,
宋志强
,
徐萌
,
特古斯
金属功能材料
对Mn1.35 Fe0.65 P0.45Si0.55Bx (x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)合金的结构和磁热效应(MCE)进行了研究.XRD分析结果表明:Mn1.35 Fe0.65 P0.45 Si0.55Bx(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)的合金均为Fe2 P型六角结构,空间群为P62m,并随着B元素(原子分数)的增加,晶格常数a增大,c/a减小,晶胞体积V略有减小.磁性测量表明:随着B元素(原子分数)的增加,Curie温度(Tc)从228 K升高到315 K,热滞(△Thys)变化不大.0～1.5 T外磁场下最大磁熵变(-△SMmax)下降,分别为3.6,2.5,2.0,1.7,1.9 J/(kg·K).
关键词:
居里温度
,
磁热效应
,
热滞
,
相变
,
磁熵变
孙学峰
,
胡林生
,
赵霞
,
吴文彬
,
李晓光
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.01.009
用自助熔剂法制备了Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy(x = 0.01, 0.02, 0.05, 0.08, 0.10)单晶.单晶的 c 轴长度随 Mn 含量的增加而减小.R-T 曲线测量表明,零电阻温度 Tc 随 x 的增大而逐渐下降.对 Mn 掺杂量较高的一些单晶,发现其 R-T 曲线在 105K 左右有一陡降,表明 Mn 掺杂量较高的单晶中可能有微量的 Bi2223 相成分存在.
关键词:
焦兴利
,
王海峰
,
刘亲壮
,
訾玉宝
,
吴文彬
低温物理学报
本文使用脉冲激光沉积的方法在SrTiO3(STO)单晶衬底上采用一种新型的透明导电氧化物材料La0.07Sr0.93SnO3(LSSO)薄膜作为电极材料制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)铁电薄膜电容器.XRD表征结果证实BF-MO/LSSO/STO外延异质结具有很好的单晶质量.光透过率的测试结果表明在500～2500nm的波长范围内,整个异质结的透光率与单纯STO衬底基片相似.在波长500nm附近BFMO出现吸收边,通过对吸收边进行(hva)2-hv曲线拟合得到BFMO的直接光学带隙约为2.8eV.利用Pt作为上电极,我们测得了饱和的电滞回线,剩余极化Pr～60μC/cm2.
关键词:
铁酸铋
,
透明铁电电容器
,
脉冲激光沉积
李元行
,
陈峰
,
高关胤
,
徐浩然
,
吴文彬
低温物理学报
我们采用脉冲激光沉积法,在SrTiO3(001)衬底上以La0.7Sr0.3 MnO3作为底电极,制备得单相的0.95(Na0.49K0.49Li0.02) (Nb0.8Ta0.2)-0.05CaZrO3外延薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱,电滞回线和介电常数测试分别表征了LKNNT-CZ薄膜的微观结构、表面元素价态和铁电/介电性能.结果表明:(1)制备得到的LKNNT-CZ薄膜的元素组成与靶材相同;(2)在4伏到10伏内均可以获得线型良好且饱和的电滞回线,当驱动电压为10V时,薄膜的剩余极化达到12.4 μC/cm2,矫顽电场为102.3 kV/cm;(3)薄膜在1 kHz频率下的介电常数高达1185.
关键词:
无铅压电
,
铌酸钾钠
,
外延薄膜
,
介电性质
张福恒
,
王凌飞
,
黄振
,
吴文彬
低温物理学报
本文使用脉冲激光沉积方法在正交的NdGaO3(001)衬底上外延生长了La0.67Cao.33MnO3薄膜.退火后,由于外延应变引起薄膜正交畸变增强,薄膜在低于250K的整个温度区间都出现了铁磁金属态和反铁磁绝缘态的相分离和相竞争.这两相的竞争强烈依赖于磁场相对晶轴的方向,由此导致存在于很宽温度范围内的低场各向异性磁阻效应.
关键词:
锰氧化物
,
各向异性磁阻
,
脉冲激光沉积
赵霞
,
孙学峰
,
范晓娟
,
吴文彬
,
朱长飞
,
李晓光
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.017
系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响.Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致.在x≥0.19时,ρab(T)在Tc附近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量增大而增大.ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(Δ/T)+bT+c加以描述.电阻率各向异性ρc/ρab随掺杂浓度增大而增大.
关键词:
