王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
,
吴文光
,
李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018
在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.
关键词:
MOCVD
,
Turbo-Disc
,
生长动力学
,
GaInP
王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
,
吴文光
,
李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021
应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.
关键词:
MOCVD
,
双晶衍射
,
GaAlInP
,
拟合
吴文光
,
范广涵
,
陈贵楚
,
李华兵
,
陈练辉
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.024
通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析.
关键词:
激光技术
,
量子级联激光器
,
电路模型
,
频率响应
李华兵
,
范广涵
,
陈练辉
,
吴文光
,
熊予莹
,
刘颂豪
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.026
在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系.模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化.最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好.
关键词:
光电子学
,
Ⅲ-Ⅴ族混晶
,
MREI
,
光学声子
,
近邻力常数
