吴志明
,
杨燮龙
,
杨介信
,
戴文恺
,
赵振杰
,
俞建国
,
丁永芝
,
丁浩
功能材料
主要介绍纳米微晶材料的巨磁阻抗效应及利用该效应研制的一种新型的磁敏传感器.它以脉冲频率的方式作为输出结果,与传统的磁敏传感器相比,具有高灵敏度、便于数字化测量等优点,在地磁测量、磁航向等方面有良好的应用前景.
关键词:
磁敏传感器
,
巨磁阻抗效应
,
频率测量
林宏
,
袁望治
,
赵振杰
,
程金科
,
辛宏梁
,
吴志明
,
阮建中
,
杨燮龙
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.029
用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
磁导率
,
弛豫频率
,
等效电路
刘兵兵
,
曹义鸣
,
李雄岩
,
贺晓泉
,
劳景水
,
吴志明
,
袁权
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2007.04.008
制备了聚乙烯醇(PVA)/壳聚糖(CS)共混膜,用渗透汽化膜技术实现了甲醇/碳酸二甲酯二元共沸物的有效分离,研究了共混组成、操作温度、原料组成对膜分离性能的影响,结果表明,随着共混膜中CS含量的增加,膜的渗透通量增大,分离系数先增大后减小,当共混膜中CS含量为66%时,该膜具有优异的渗透汽化性能,有较大渗透汽化分离指数PSI值=660.8g/(m2·h).操作温度升高,膜的渗透通量增大,分离系数略微减小;随着原料中甲醇含量的增大,膜的渗透通量增大,分离系数减小.该共混膜在分离甲醇/碳酸二甲酯二元共沸物时得到的渗透侧甲醇的浓度远大于对应饱和蒸汽的浓度,表明用膜法渗透汽化分离是优于精馏分离的.
关键词:
共混膜
,
甲醇
,
碳酸二甲酯
,
渗透汽化
魏雄邦
,
蒋亚东
,
吴志明
,
廖家轩
,
贾宇明
,
田忠
稀有金属材料与工程
在衬底上溅射沉积一层金属钒膜,然后对其退火制备氧化钒薄膜.研究了原位退火热处理和后续退火热处理对氧化钒薄膜成分及其热敏性能的影响.XPS分析表明,原位380 ℃退火处理得到的氧化钒薄膜中4价态和5价态钒的比例为1.097:1,经后续退火处理后,该比例变为0.53:1;同时,原位退火处理得到的氧化钒薄膜的V/O比为1:2.24,经后续退火处理变为1:2.33.AFM分析后显示,经后续退火处理的薄膜晶粒尺寸有所增大.测试了薄膜方阻随温度的变化,结果显示,生成的薄膜具有明显的金属-半导体相变;原位退火热处理后的薄膜方阻(R)为5.46 kΩ/□(25 ℃),方阻温度系数(TRC)为-1.5%/℃(25 ℃);后续退火热处理后,薄膜方阻增大到231 kΩ/□(25 ℃),方阻温度系数升高为-2.74%/℃(25 ℃).此外,就氧化钒薄膜的成分、热敏性能与退火处理之间的关系进行了讨论.
关键词:
氧化钒薄膜
,
退火
,
薄膜成分
,
热敏性能
廖乃镘
,
李伟
,
蒋亚东
,
匡跃军
,
李世彬
,
吴志明
材料导报
氢化非晶硅(a-Si:H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一.介绍了a-Si:H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si:H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了先致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si:H薄膜稳定性的方法.
关键词:
氢化非晶硅
,
稳定性
,
光致衰退效应
,
物理模型
,
稳定化处理
魏雄邦
,
蒋亚东
,
吴志明
,
廖家轩
,
贾宇明
,
田忠
材料导报
采用直流反应磁控溅射法在不同基片上制备了80nm和1000nm厚的氧化钒薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜及扫描电镜进行了薄膜微观结构分析.结果表明,薄膜的晶化受衬底影响较大,晶化随膜厚的增加而增强.不同衬底上生长的薄膜晶粒尺寸存在较大差异,Si_3N_4/Si衬底上生长的薄膜晶粒细小,薄膜较为平坦;玻璃衬底、Si衬底和α-Al_2O_3陶瓷衬底上生长的薄膜晶粒较为粗大.随着膜厚的增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大,不同衬底上生长的二氧化钒薄膜晶粒都具有一种独特的"纺锤"形或"棒"形.
关键词:
氧化钒薄膜
,
衬底
,
膜厚
,
微观结构
魏雄邦
,
王涛
,
吴志明
,
蒋亚东
材料导报
在氧化钒薄膜的直流磁控溅射制备中,氩流量是影响沉膜工艺以及薄膜织构和性能的重要因素之一.从氧化钒薄膜制备角度出发,研究了纯氩环境以及氧流量恒定的氩氧混合环境中溅射电压和薄膜沉积速率随氩流量的变化.实验结果有助于对氧化钒薄膜制备工艺进行优化,为氩气流量的选择提供参考.
关键词:
磁控溅射
,
氧化钒薄膜
,
溅射电压
,
石英晶振频率
叶芸
,
蒋亚东
,
吴志明
,
曾红娟
功能材料
采用流延工艺制备了半晶态的PVDF薄膜,通过X射线衍射分析(XRD)对不同电场强度下电极化的薄膜进行了表征.电极化的相变过程为α相→δ相→β相.薄膜的铁电性能分析表明,薄膜的剩余极化值Pr随电场强度变化的趋势符合Boltzmann分布函数,拟合的Boltzmann方程表明:引起Pr变化最大的极化电场强度范围是105～125MV/m,最大的剩余极化值Pr达到6μC/cm2.
关键词:
PVDF薄膜
,
电场
,
相变
严剑飞
,
吴志明
,
太惠玲
,
李娴
,
付嵩琦
功能材料
采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极.改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析.结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40.
关键词:
刻蚀
,
有机薄膜晶体管
,
钛/金
,
最佳工艺条件
姜晶
,
吴志明
,
王涛
,
郭正宇
,
于贺
,
蒋亚东
材料导报
黑硅是一种新型的硅材料,具有优异的光电性质.概括了Eric Mazur以及其他研究者近年来关于黑硅的研究工作,详细介绍了黑硅的制备与产生机理以及黑硅的吸收、发光、场发射与光谱响应等性质,并指出了黑硅在红外探测器、太阳能电池以及平板显示器等领域的重要潜在应用价值.
关键词:
黑硅
,
飞秒激光器
,
微构造
,
光电性质
