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HfO2膜料中的杂质对薄膜损伤及性能的影响

吴师岗 , 邵建达 , 易葵 , 赵元安 , 范正修

稀有金属材料与工程

通过对HfO2膜料中杂质元素的分析,找出了影响薄膜性能的主要杂质元素.结果表明:金属元素、吸收性介质元素的存在对薄膜的损毁有很大负面影响;在紫外波段,Zr元素含量大的薄膜吸收较大;并且提出负离子元素在膜料蒸发过程中形成气源中心,产生喷溅,从而使薄膜的损伤阈值降低.

关键词: HfO2膜料 , 杂质 , 金属 , 吸收性介质 , Zr元素 , 负离子元素

Y2O3稳定ZrO2(YSZ)膜料制备与结构分析

吴师岗 , 张红鹰

稀有金属材料与工程

通过YSZ膜料的制备及结构分析,得出Y2O3的最佳加入量.结果表明Y2O3的加入量达到7 mol%时,材料中ZrO2主要以高温相存在,达到了材料稳定的要求;通过对YSZ膜料和薄膜的结构检测和晶粒尺寸计算,进一步证明Y2O3对ZrO2具有良好的稳定作用;提出膜料预熔是一次高温退火过程,能使未完全发生相变的单斜相ZrO2转变为高温相.

关键词: YSZ膜料 , 高温相 , 结构 , 晶粒尺寸 , 预熔

挖坑效应对球形夹具下电子束蒸发沉积薄膜厚度均匀性的影响

夏志林 , 薛亦渝 , 郭培涛 , 吴师岗

材料导报

厚度均匀性是薄膜制备过程中不可忽视的薄膜特性,厚度不均匀会导致薄膜成品率降低.熔融性比较差的镀膜材料在蒸发过程中以直接气化为主,挖坑效应比较明显.此时,在分析薄膜厚度均匀性时,蒸发源发射特性不随时间变化的假设不再合理.细分蒸发源为无数个小的薄板蒸发源,建立了镀膜材料出现挖坑效应时薄膜厚度均匀性的分析模型.结果表明,在所选镀膜机结构参数下,挖坑效应对薄膜厚度均匀性影响明显;但挖坑效应并不总导致薄膜厚度均匀性变差,设计合适的镀膜室结构以及薄膜制备工艺参数,可借助挖坑效应在一定程度上改善薄膜厚度均匀性.采用易于出现挖坑效应的材料作为镀膜材料时,该研究对设计薄膜沉积工艺参数具有指导性意义.

关键词: 薄膜 , 厚度均匀性 , 挖坑效应 , 球形夹具

电子束蒸发制备HfO2薄膜的性能研究

张红鹰 , 吴师岗 , 杜健

硅酸盐通报

用电子束蒸发方法沉积HfO2薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定HfO2薄膜的结构特征和光学性能,并测定薄膜的弱吸收和损伤阈值.结果表明:HfO2薄膜在沉积温度为350℃时,达到了较好的结晶程度.在可见光和近红外光区具有很高的透过率;HfO2薄膜的损伤阈值比较高,达到10.5 J/cm2.

关键词: HfO2薄膜 , X射线衍射 , 透射光谱 , 薄膜结构 , 光学性能

碳化硅陶瓷内筒服役过程中的结构演变和蚀损机理

吴师岗 , 张红鹰 , 张佩华

硅酸盐通报

通过对使用前后的碳化硅陶瓷预热器内筒样品进行扫描电镜显微观察和X射线衍射分析,得出陶瓷内筒在使用过程中的结构演变和蚀损机理.结果表明:碳化硅陶瓷内筒在热烟气的氧化作用下不断被氧化,随后氧化生成的Si02在高速物料的冲蚀磨损作用下断裂、剥落,最终导致的结构损坏.

关键词: 碳化硅陶瓷 , 扫描电镜显微 , XRD分析

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