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4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

蔡加法 , 陈厦平 , 吴少雄 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 电容-电压 , 深能级缺陷