吴小萍
,
刘庆锁
,
陆翠敏
,
卢雪梅
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.z1.046
采用真空直流溅射法在PZT基体上沉积NiTi SMA薄膜,再经过晶化处理而制备出PZT基NiTi SMA/PZT复合材料.使用扫描电子显微镜观察复合材料试样的表面和界面组织结构.使用ZJ-3A型准态仪、Automatic LCR Meter4225测试复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP1,介电损耗tgδ,以考察NiTi SMA薄膜对PZT压电性能的影响.测试结果显示复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP相对于PZT均有提高,而介电损耗tgδ有小幅度降低.NiTiSMA薄膜与PZT基体之间的良好的界面结合结构及界面附近存在的源自膜/基材料间晶格差异的约束应力,有利于电偶极子的定向运动,保障了PZT基体压电性能的发挥.
关键词:
NiTi SMA薄膜
,
NiTi SMA/PZT复合材料
,
组织结构
,
压电性能
刘庆锁
,
吴小萍
稀有金属材料与工程
采用直流磁控溅射法在PZT基体上溅射沉积NiTiSMA薄膜,而制备出PZT基NiTii SMA/PZT异质复合材料.研究了溅射工艺参数与晶化温度对NiTi SMA薄膜相组成及SMA/PZT异质复合材料膜/基间结合状态的影响规律.结果表明,为保障NiTi SMA薄膜的晶体颗粒均匀、结构致密,膜/基间成分交换范围小及结合紧密,制各NiTi SMA/PZT异质复合材料的适宜工艺为:于基体温度150℃、氩气压强0.7 Pa条件下溅射沉积NiTi SMA薄膜,再经600℃二次晶化处理.显微观察发现,NiTi SMA薄膜与PZT基体之间以化学方式,而非物理方式结合.
关键词:
磁控溅射法
,
晶化处理
,
显微结构
,
NiTi SMA/PZT异质复合材料
高晓云
,
刘庆锁
,
陆翠敏
,
吴小萍
,
何烜坤
,
卢雪梅
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.03.015
采用sol-gel法在NiTi SMA冷轧薄片基体上沉积陶瓷薄膜而制备出NiTi SMM铁电陶瓷异质复合材料.采用X射线衍射、扫描电镜及EDAX仪研究不同烧结温度下复合材料的物相组成,异质间结合结构等.用动态热机械分析仪(DMA)测试复合材料的阻尼性能并与单纯NiTi SMA的阻尼性能进行比较.试验结果表明,通过801-gel法及控制烧结工艺,可在NiTi SMA基体上沉积陶瓷薄膜而制备NiTi SMM铁电陶瓷异质复合材料;所制备的复合材料,在20℃以下,阻尼tg稳定在3.5%,且振动频率在0.33～10 Hz以内,振动频率对阻尼影响较小;在20～40℃范围内,存在tgδ阻尼峰,峰值可达到5.0%.相对于单纯NiTi SMA,阻尼性能复合效应显著.
关键词:
NiTi SMA/FC复合材料
,
界面结构
,
相组成
,
阻尼
,
sol-gel法
