顾广瑞
,
吴宝嘉
,
李全军
,
金哲
,
盖同祥
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.010
利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99 %)和高纯Ar(99.99 %)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响.随着氮气分压的增加,阈值电场逐渐升高,这是由于表面粗糙度的变化造成的.充入10 % N2情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好,开启电场为9 V/μm,当电场升高到24 V/μm,场发射电流为320 μA/cm2.所有样品的场发射FN曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的.
关键词:
场发射
,
BN薄膜
,
氮气分压
顾广瑞
,
吴宝嘉
,
金逢锡
,
金哲
,
李哲奎
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.008
利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si基板上制备了具有纳米针状结构的碳膜.场发射特性测试表明,纳米针状结构碳膜具有良好的场发射特性,阈值电场为2.2 V/μm,外加电场为9 V/μm时,电流密度达到65 mA/cm2.利用统计效应修改了Fowler-Nordheim (F-N) 模型,成功地解释了在低电场区域的场发射机理.但是利用修改的F-N模型,不能解释高电场区域的电流密度的饱和现象,这将有待于进一步研究.
关键词:
场发射
,
碳膜
,
纳米针
,
微波等离子体化学气相沉积
刘智超
,
李英爱
,
王静
,
顾广瑞
,
吴宝嘉
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0297
利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜.利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2～3μm长、100 nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的.在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1 V/μm,当电场增加到10 V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7 mA/cm2.通过三区域电场模型合理地解释了碳纳米球薄膜在低电场、中间电场和高电场区域的场发射特性.
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
碳纳米球薄膜
,
场发射
