张守超
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阮永丰
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王帅
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王友发
,
吴周礼
人工晶体学报
采用温度梯度法生长了BaY2F8晶体,通过X射线定向仪确定晶体自发沿[001]方向生长.通过对不同截面的显微观察和分析,研究认为生长方向与竖直方向不平行是诱发(100)、(130)、(130)等小面生长的重要因素.由于温度的波动和径向温度梯度的存在,会造成晶体生长过程中的组分过冷,引发晶面上出现胞状凸起,影响了晶体的生长质量.
关键词:
BaY2F8晶体
,
小面生长
,
组分过冷
,
界面形状
,
缺陷
张守超
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阮永丰
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王友发
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吴周礼
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王帅
,
贾国治
中国稀土学报
采用中频感应提拉法生长了高质量的掺铈钒酸钇( Ce:YVO4)晶体,其中Ce3+离子的浓度为1.0％(原子分数).对于加工好的晶体薄片分别在中性气氛Ar和还原性气氛H2中不同温度下进行了退火处理.对退火后的样品进行了吸收光谱和荧光光谱的测量.中性Ar中退火对晶体发光效率提高没有作用,H2退火后晶体吸收谱发生显著变化,晶体的发光效率大幅提高.发射光谱中400 -600 nm的发射带包含两个发射峰,其中心波长分别在424和469 nm处.并对掺铈钒酸钇晶体作为白光材料的可能性进行了分析.
关键词:
Ce: YVO4
,
退火
,
荧光光谱
,
白光
,
发光效率
,
稀土
吴周礼
,
阮永丰
,
王友发
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王帅
,
童红双
人工晶体学报
为探索新型的白光LED荧光粉材料,采用提拉法生长了Ce2( CO3)3掺杂的Ce3+∶YVO4晶体,并对生长晶体的结构和光谱性能进行了表征.通过XRD测试,确定了由提拉法生长的Ce3+∶YVO4晶体的晶相没有发生变化.Ce3+∶YVO4晶体在450 nm处有一个较宽的发射带,在620 nm处有一个明显的发射峰.分析表明,在Ce3+掺杂的YVO4晶体中,铈离子主要以三价离子的形式存在,但在激发光照射下出现的620 nm发射表明有Ce4+存在,并且Ce4+与配位O2-形成了电荷迁移态(CTS).
关键词:
Ce3+∶YVO4晶体
,
提拉法
,
发射光谱
,
电荷迁移态
