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新型高灵敏度GLV光学电流传感器设计与性能分析

鲁亮 , 穆参军 , 李四华 , 吴亚明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.007

本文结合GLV技术设计了一种适于检测高压交流电的新型光学电流传感器.这一设计具有温度稳定性好、大电流下灵敏度高、频率响应范围宽等特点,且测量芯片制作工艺简单、成本低廉.通过有限元分析和数值计算对器件的模态、工作性能、热膨胀特性等进行了分析模拟,结果表明:测量芯片量程达500A~2000A,并可通过改变设计参数灵活调整;一阶固有频率接近60kHz,大电流下灵敏度接近0.2dB/A,外界温度变化±50K时传感器测试误差在0.7%以内.

关键词: 光栅光阀(GLV) , 光学电流传感器 , 双端固支梁

Pyrex玻璃的湿法深刻蚀及表面布线工艺

许晓昕 , 高翔 , 徐静 , 吴亚明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.011

高表面质量的pyrex玻璃对提高MEMS器件尤其是光学器件性能至关重要.本文采用TiW/Au+AZ4620厚胶作为多层复合刻蚀掩模,重点研究了玻璃湿法深刻蚀工艺中提高表面质量的方法,并分析了钻蚀和表面粗糙度产生的机理.结果表明,采用TiW/Au+AZ4620厚胶的多层掩膜比 TiW/Au掩膜能更有效地避免被保护玻璃表面产生针孔缺陷,减轻钻蚀.在纯HF中添加HCl,可以得到更光洁的刻蚀表面,当HF与HCl体积配比为10:1时,玻璃刻蚀面粗糙度由14.1nm减小为2.3nm.利用该工艺,成功实现了pyrex7740玻璃的150μm深刻蚀,保护区域的光学表面未出现钻蚀针孔等缺陷,同时完成了金属引线和对准标记的制作,为基于玻璃材料的MEMS器件制作提供了一种新的加工方法.

关键词: 微机电系统(MEMS) , Pyrex玻璃 , 湿法刻蚀 , 表面质量

转动竖直镜面的微机械光开关

杨艺榕 , 刘文平 , 王跃林 , 吴亚明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.012

提出并制作了转动竖直微镜的微机械光开关,采用曲线形状的电极设计,有效地减低了悬臂梁驱动器的吸合电压,采用体硅深刻蚀技术结合(110)硅的各向异性腐蚀技术制备了光开关芯片和耦合对准的U形槽和卡簧.芯片经初步封装后进行了电学测试和光学测试,测得吸合电压78.5V,谐振频率2.3kHz,光开关损耗5dB,隔离度45dB.

关键词: MEMS光开关 , (110)硅各向异性腐蚀 , 深反应离子刻蚀

攀钢钒新3号高炉年修开炉快速达产实践

杜斯宏 , 宋剑 , 吴亚明 , 曾华锋

中国冶金

攀钢钒新3号高炉检修后开炉采用快速烘炉、炉底多点立体点火、快速转换装料制度、快速扩大进风面积等技术,点火开炉后加风顺利,炉缸活跃.通过制定科学的开炉方案,保留烘炉导管开炉,加风口圈调整进风面积,优化料制,合理控制边缘和中心气流等措施,确保高炉快速达产,高炉利用系数3天达到2.015t/(m3·d).此次实践是目前国内外2 000 m3级冶炼钒钛磁铁矿高炉开炉中最成功的一次.

关键词: 高炉 , 钒钛磁铁矿 , 开炉 , 达产

一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器

韩晓峰 , 吴亚明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.017

设计并制造了一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率.该VOA可实现20dB的光功率衰减量,所需要的最大功率为650mW,器件的片内插入损耗约为3.6dB.

关键词: SOI材料 , 可调谐光衰减器 , 双脊型波导

基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

黄占喜 , 吴亚明 , 李四华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.03.015

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工.通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photoresist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜.该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺.

关键词: MEMS , 光刻 , 多掩膜 , 体硅工艺

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