材料期刊网

ZnGeP2晶体的合成与生长

杨春晖 , 王猛 , 夏士兴 , 孙亮 , 朱崇强 , 吕维强 , 姚宝权 , 王月珠

人工晶体学报

采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为22×90 mm2.晶体透光范围0.7～12.0 μm,平均透过率达到56%;OPO光参量震荡器件尺寸6×6×15 mm3,采用2 μm的泵浦光,产生4 W以上的3.8～4.5 μm激光输出.

关键词: ZnGeP2晶体 , 合成 , 生长 , 透过率 , 光参量震荡

砷化锗镉晶体的合成与生长

朱崇强 , 杨春晖 , 王锐 , 吕维强 , 孙彧 , 王蒙 , 李春彦

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.050

关键词:

ZnGeP₂晶体点缺陷的研究进展

朱崇强 , 杨春晖 , 王猛 , 夏士兴 , 马天慧 , 吕维强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01089

ZnGeP₂晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料. 晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP₂晶体的应用发展. 本工作介绍了ZnGeP₂晶体点缺陷的最新研究进展情况. 首先, 利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP₂晶体的点缺陷. 主要存在缺陷是受主缺陷V^-_Zn及施主缺陷V⁰_P和Ge⁺_Zn, 其相应的缺陷能级分别为E(V^-_Zn)=E_C-(1.02±0.03)eV, E(V⁰_P)=E_V+(1.61±0.06)eV和E(Ge⁺_Zn)=E_V+(1.70±0.03)eV. 对晶体作了电子照射及高温退火等处理后, 又分别发现了两种缺陷V ^3-_Ge和VPi. 其次, 利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP₂晶体的点缺陷. 主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致, 但由于理论模拟与实际情况还存在差距, 有些计算结果与实验结果相矛盾. 因此, 将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.

关键词: ZnGeP₂晶体 , electron paramagnetic resonance , acceptors , donors , density

ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展

朱崇强 , 杨春晖 , 王猛 , 夏士兴 , 马天慧 , 吕维强

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.001

ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge+Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.

关键词: ZnGePz晶体 , 电子顺磁共振 , 受主缺陷 , 施主缺陷 , 密度泛函理论