陈治宇
,
吕知秋
,
张锦文
,
金玉丰
,
李婷
,
田大宇
,
王颖
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.028
本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能.针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地.通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化.本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中.
关键词:
驻极体
,
SiO2/Si3N4双层膜
,
PECVD
