康冬茹
,
叶芸
,
汪江胜
,
吕珊红
,
辛琦
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173205.0367
为了减小场发射的屏蔽效应,采用图形化技术对氧化锌(ZnO)纳米枝阵列进行调控,并研究图形化ZnO枝阵列的性能.首先采用光刻法在ITO导电玻璃上制备图形化ZnO种子层,再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等,并测试其场发射性能.研究结果表明,制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列,直径为330 μm左右,纳米ZnO主干平均直径为400~500 nm,发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构,并且具有良好的场发射性能,开启场强为2.15V/μm,场增强因子为16 109.该图形化生长ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法,在场发射应用领域表现出较好的前景.
关键词:
图形化
,
氧化锌纳米枝
,
电沉积法
,
场发射
