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α-C:F薄膜的键合结构与电子极化研究

叶超 , 康健 , 宁兆元 , 程珊华 , 辛煜 , 方亮 , 陆新华 , 项苏留

功能材料

利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.

关键词: α-c:F薄膜 , 键结构 , 电子极化

氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性

黄峰 , 康健 , 杨慎东 , 叶超 , 程珊华 , 宁兆元 , 甘肇强

功能材料

用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制.

关键词: a-C:F薄膜 , MWECR-CVD , 光学带隙 , J-V特性

箭上复合材料气瓶绝热性能数值分析和试验研究

王道连 , 叶超 , 许光 , 方红荣 , 李玉龙

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2015.02.005

为满足复合材料层使用温度不超过80℃的安全要求,安装在运载火箭发动机舱段的复合材料气瓶需包覆一定厚度的绝热层.本文结合40 L复合材料气瓶及绝热层的结构参数和材料物性参数,基于集总参数方法建立了考虑辐射、导热、自然对流的传热模型,分析了包覆绝热层后的瓶体绝热性能及绝热层厚度的影响,并开展了包覆5和10 mm厚度绝热层的复合材料气瓶绝热试验,数值模拟结果与绝热试验测量数据吻合良好.

关键词: 复合材料气瓶 , 绝热层 , 数值模拟 , 红外辐射

CHF3/C6H6等离子体中的基团分析

程珊华 , 宁兆元 , 李戈扬 , 叶超 , 杜伟 , 辛煜

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.002

在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了 CHF3、 C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速率和键结构之间的关联.结果表明,提高微波功率会增加 CHx、 CFx等成膜基团的密度,有利于加大沉积速率;而增加 CHF3的进气量则会加大 F原子基团的密度,这是由于它控制了薄膜的氟化程度.

关键词: 电子回旋共振等离子体 , 氟化非晶碳薄膜 , 四极质谱 , 发射光谱

微波电子回旋共振法沉积的非晶碳化硅薄膜结构和性能研究

贺洁 , 辛煜 , 叶超 , 宁兆元 , 孙钢

功能材料

非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层.主要改变了SiH4(80%Ar稀释)和CH4气体流量比R{R=[CH4]/([CH4]+[SiH4])},使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a-Si1-xCx∶H).薄膜沉积过程中放电等离子体的各基团行为由等离子体的发射光谱监测,而薄膜的结构与性能则由傅立叶变换红外光谱、紫外可见光谱等来表征.结果表明,在等离子体发射光谱中H、CH谱线强度随CH4流量的增加而增强,而SiH谱线强度则呈现相反的变化趋势.红外结构表明随着气体流量比R的增加,薄膜由富硅态向富碳态转变,薄膜结构的转变是薄膜光学带隙及其介电常数变化的根本原因.

关键词: 微波电子回旋共振等离子体 , 非晶碳化硅红外光谱 , 介电常数

不锈钢点蚀行为及研究方法的进展

叶超 , 杜楠 , 赵晴 , 田文明

腐蚀与防护

综述了不锈钢亚稳态点蚀的几种形核机理、生长和再钝化过程,亚稳态点蚀向稳态点蚀转变的临界条件,稳态点蚀在不同环境下的生长模式以及研究方法.亚稳态点蚀萌生的判据和再钝化的机理还有待进一步研究,点蚀的机理、动力学及形貌学仍有较大发展空间,需发展有效的研究方法来完善点蚀行为和规律.

关键词: 不锈钢 , 点蚀 , 生长 , 研究方法

304不锈钢点蚀行为的电化学阻抗谱研究

杜楠 , 叶超 , 田文明 , 赵晴

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2014.06.013

综合运用动电位电化学阻抗谱(DEIS)和时间扫描模式下的电化学阻抗谱(TSEIS)研究了304不锈钢在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的点蚀行为.DEIS的结果表明,在比点蚀电位0.15V负得多的电位0.02V下,亚稳态点蚀就已经开始,并且亚稳态蚀孔的产生与再钝化是随机的,DEIS测试得到的稳态点蚀电位比动电位极化法得到的点蚀破裂电位要负0.05V.TSEIS的结果表明,只有在钝化膜减薄到一定程度后,点蚀的形核才能发生.通过对等效电路中元件参数的分析,揭示了点蚀发展过程中双电层和钝化膜结构的变化特点.

关键词: 304不锈钢 , 点蚀 , 动电位电化学阻抗谱 , 时间扫描电化学阻抗谱

微波功率对a-C:F薄膜结构和光学性质的影响

黄峰 , 程珊华 , 宁兆元 , 杨慎东 , 叶超 , 甘肇强

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.04.008

用苯(C6H6)和四氟甲烷(CF4)混合气体作源气体,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术制备了含氟非晶碳膜(a-C:F).着重讨论了输入的微波功率对成膜结构和性质的影响.我们对沉积的膜作了膜厚、扫描电子显微表面形貌(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、傅立叶红外变换(FTIR)等的测量.结果表明随着微波功率的增加沉积速率一直在上升;同时膜中缺陷增多;从FIIR的结果我们发现膜中主要以C-F、CF2和F-芳基成键;通过UV-VIS吸收谱的测量的结果我们求出了折射率和光学带隙;并且将光学带隙和膜中的sp2碳浓度建立关系.

关键词: 微波ECR-CVD , a-C:F膜 , 微波功率

ECR-CVD沉积a-C:F薄膜

康健 , 叶超 , 辛煜 , 程珊华 , 宁兆元

功能材料

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,用苯和三氟甲烷混合气体,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).用红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)分析了a-C:F薄膜的结构.FTIR结果表明,氟主要以C-F、CF2的形式成键形成a-C:F薄膜;XPS结果进一步证明a-C:F膜中存在C-F、CF2键,获得了与FTIR相一致的结果.

关键词: a-C:F薄膜 , ECR-CVD , 键结构

氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

叶超 , 宁兆元 , 程珊华 , 辛煜 , 许圣华

功能材料

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102~106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C-F相对含量的增大则使低频介电色散减弱.

关键词: 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜 , 介电色散 , 键结构

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