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0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

叶甜春 , 谢常青 , 李兵 , 陈大鹏 , 陈朝晖 , 赵玲莉 , 胥兴才 , 刘训春 , 张绵 , 赵静

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.013

对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.

关键词: X射线光刻 , PHEMT , T型栅

用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究

李东辉 , 刘志凌 , 叶甜春 , 陈大鹏 , 吕反修

无机材料学报

介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性;通过调节衬底温度,改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施,实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响,获得了高密度形核的样品;对形核后的预生长期进行了工艺优化,有效地控制了核岛的优势生长,总结出了一套优化的形核方案,即甲烷浓度4％,衬底温度700℃,形核时间14min;这套工艺不仅改善了自支撑金刚石薄膜窗口的光学性能,还有效地降低了膜的内应力。

关键词: 成核 , diamond film , MPCVD , X-ray lithography .mask

An output amplitude configurable wideband automatic gain control with high gain step accuracy

何晓丰 , 莫太山 , 马成炎 , 叶甜春

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/2/025009

关键词:

用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究

李东辉 , 刘志凌 , 叶甜春 , 陈大鹏 , 吕反修

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.030

介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性;通过调节衬底温度、改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施,实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响, 获得了高密度形核的样品;对形核后的预生长期进行了工艺优化,有效地控制了核岛的优势生长,总结出了一套优化的形核方案,即甲烷浓度4%,衬底温度700℃,形核时间14min;这套工艺不仅改善了自支撑金刚石薄膜窗口的光学性能,还有效地降低了膜的内应力.

关键词: 成核 , 金刚石薄膜 , MPCVD , X射线光刻掩模