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水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

孟兆祥 , 于广辉 , 叶好华 , 雷本亮 , 李存才 , 齐鸣 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.022

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.

关键词: GaN , HVPE , 流体动力学

衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响

叶好华 , 于广辉 , 雷本亮 , 齐鸣 , 李爱珍

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.013

研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布.

关键词: GaN , 衬底氮化 , 氢化物气相外延

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