赵雪盈
,
史迅
,
陈立东
,
唐新峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00392
采用熔融法合成了Skutterudite化合物Co4-xNixSb12, 并研究了Ni掺杂对该化合物的高温热电性能的影响. 实验结果表明: 由于Ni向Skutterudite结构中提供电子, 导致化合物的载流子浓度和电导率随Ni置换量的增加而增加, Seebeck系数为负值, Seebeck系数的峰值温度随Ni置换量的增加向高温方向移动; Ni置换引入了电子-声子散射, 导致晶格热导率降低. 对于Skutterudite化合物Co4-xNixSb12, 得到的最大热电性能指数ZT约为0.55.
关键词:
Ni掺杂
,
skutterudite
,
thermoelectric transport properties
赵雪盈
,
史迅
,
陈立东
,
唐新峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.022
采用熔融法合成了Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,并研究了Ni掺杂对该化合物的高温热电性能的影响.实验结果表明:由于Ni向Skutterudite结构中提供电子,导致化合物的载流子浓度和电导率随Ni置换量的增加而增加,Seebeck系数为负值,Seebeck系数的峰值温度随Ni置换量的增加向高温方向移动;Ni置换引入了电子-声子散射,导致晶格热导率降低.对于Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,得到的最大热电性能指数ZT约为0.55.
关键词:
Ni掺杂
,
Skutterudite
,
热电性能
吴汀
,
柏胜强
,
史迅
,
陈立东
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12615
利用熔融法和等离子放电烧结(sPs)制备单相双原子填充BaxEuyCo4Sb12方钴矿材料并测试其高温热电性能.实验发现,在高填充量下(x+y＞40％),材料在高温时具有高的功率因子(＞60 W/(cm·K2)).在方钴矿的晶格空洞中同时引入Ba和Eu两种填充原子,能增强晶格声子散射,从而大幅降低方钴矿的晶格热导.实验证实,BaxEuvC04Sb12体系的晶格热导显著降低,其室温晶格热导最低达1.7 W/(m·K).与此对应的是双原子填充BaxEuyCo4Sb12方钴矿材料的热电优值(ZT值)明显增大,其中Ba0.19Eu0.23Co4Sb12的ZT值在850 K时达到了1.3.
关键词:
热电
,
填充方钴矿
,
输运性能
吕艳红
,
陈吉堃
,
D?BELI Max
,
李宇龙
,
史迅
,
陈立东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150197
本工作提出了脉冲激光沉积法生长 Cu2Se 热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu2Se薄膜具有纯的a-相，并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激光能量可以更加有效地引起等离子体对激光-固体直接作用的屏蔽，这可以使得靶材中的铜和硒元素的激光切削量更加接近靶材的化学计量比。由于硒具有较高的蒸汽压，降低激光能量会加强激光与固体的直接作用，从而更有效地切削硒元素，导致所沉积薄膜中产生铜缺陷。进一步讨论了所使用的氩气背景气体压力对于所生长的 Cu2Se 薄膜热电性能的影响。当使用高激光能量低背景气体压力时，所生长的薄膜具有最佳的热电性能。
关键词:
Cu2Se薄膜
,
脉冲激光沉积
,
热电
,
激光能量
