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机械合金化合成Invar合金纳米晶粉体

吴事谱 , 吴丹 , 杨磊 , 史常东 , 汤文明

材料热处理学报

采用商用FeNi30及FeNi50合金粉为原料通过机械合金化(MA)合成纳米晶Invar合金(FeNi36)粉体,研究了不同球磨时间的Invar合金粉体的物相组成、显微组织结构与形貌特征,探讨其合金化机制.结果表明:球磨初期(5~ 10 h),微锻造和冷焊过程使合金粉体呈扁平形复合层状结构,同时FeNi50中的Ni原子逐渐向FeNi30中扩散,发生成分均匀化;球磨40 h后,已形成了成分均匀的α’-Fe(Ni)固溶体,其平均晶粒尺寸约为12 nm.此时,机械合金化合成的Invar合金粉体呈球形,表面光滑,继续球磨,大颗粒粉体表面出现裂纹,并碎裂,导致粉体细化.

关键词: 机械合金化 , Invar合金 , 结构演变 , 成分均匀化

高硅SiCp/Al复合材料的表面敏化?

方萌 , 胡玲 , 杨磊 , 史常东 , 吴玉程 , 汤文明

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.11.029

高硅 SiCp/Al 复合材料化学镀镍是其表面金属化的关键步骤,化学镀前的敏化工艺易造成该复合材料表面Al 合金的过度腐蚀,形成腐蚀孔洞缺陷,金属化后的试样表面粗糙度增加,并对后续的钎焊工艺产生不利影响.本文采用 SnCl2+HCl 溶液对高硅SiCp/Al复合材料进行敏化处理,研究了敏化时间和敏化液浓度对试样表面质量的影响.结果表明,敏化0.5 min 后试样表面 Al 合金腐蚀程度小,沉积的Sn(OH)2颗粒数量少.敏化1.5 min 以上,试样表面Sn(OH)2颗粒数量多,但 Al 合金完全腐蚀,留下大而深的腐蚀孔洞;降低敏化液浓度也不能明显提高敏化试样的表面质量.敏化1.0 min 后,试样表面 Al 合金连续分布,无大而深的腐蚀孔洞,Sn(OH)2颗粒数量适中.经过1 min敏化的高硅 SiCp/Al 复合材料试样表面化学镀层质量良好.

关键词: 电子封装材料 , 高硅 SiCp/Al复合材料 , 化学镀 , 敏化 , 腐蚀

高硅SiCp/Al复合材料化学镀Ni-P合金层及其生长动力学

方萌 , 胡玲 , 杨磊 , 史常东 , 吴玉程 , 汤文明

中国有色金属学报(英文版) doi:10.1016/S1003-6326(16)64170-5

经Sn/Pd活化后,在SiC体积分数为65%的SiCp/Al复合材料表面化学镀Ni?P合金,研究复合材料表面形貌及其对Ni?P沉积过程的影响,以及Ni和P原子间的结合方式。结果表明,Sn/Pd活化点分布不均导致Ni?P颗粒优先沉积在Al合金和粗糙的SiC表面以及腐蚀孔洞中,Ni?P 合金膜具有非晶结构,其中Ni原子和P原子间依靠化学键结合。在形成连续的Ni?P合金膜之后,化学镀Ni?P合金不再受SiCp/Al复合材料表面形貌及特性的影响,而是受化学镀本身控制,Ni?P合金膜遵循线性生长动力学,其活化能为68.44 kJ/mol。

关键词: SiCp/Al复合材料 , 化学镀 , Ni-P合金膜 , 显微结构 , 生长动力学

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