黎午升
,
惠官宝
,
崔承镇
,
史大为
,
郭建
,
孙双
,
薛建设
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0544
实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5 μm等间隔线的光强分布.根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角.实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性.使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力.
关键词:
相移掩膜
,
等间隔线
,
模拟
,
曝光容限
,
解像力
曲连杰
,
郭建
,
史大为
,
陈旭
,
闵泰烨
,
杨莉
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0246
为了满足市场对显示产品高分辨率的要求，需要从产品的设计和工艺各个方面进行优化，其中过孔尺寸和线宽两个因素对阵列基板分辨率影响最大，本文通过相移掩模技术可以实现对过孔尺寸的精确控制，通过在普通过孔上增加一定厚度和透过率的相移层，并对各种参数下过孔的光透过率进行模拟分析，可以获得不同相移层参数对过孔特性的影响，最后提出一种可以获得稳定微小过孔的方法。结果表明，通过对相移层透过率和宽度的控制，可以获得对曝光光强不敏感的稳定微小过孔，曝光量增大一倍乃至数倍的过程中，过孔尺寸始终保持稳定，提高了工艺容忍度。对于模拟中过孔尺寸可以小于设备的4μm 分辨极限。通过减小过孔尺寸，可以有效提升 TFT 显示产品的开口率，实现产品对高分辨率的要求。
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
过孔
,
高分辨率
