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耦合ZnO/MgxZn1-xO量子点中的激子态和带间光跃迁

危书义 , 卫国红 , 孙永灿 , 赵建华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.004

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场.研究了ZnO/MgxZn1-xO0耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化.结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低.

关键词: 量子点 , 激子结合能 , 带间光跃迁能 , 电子-空穴复合率