卢赛
,
王茺
,
王文杰
,
杨宇
人工晶体学报
将剂量为2×1016 cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理.从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV.其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关.而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰.在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷.
关键词:
SiC纳米晶
,
SiO2薄膜
,
氧空位
周原
,
王茺
,
韦冬
,
卢赛
,
杨宇
人工晶体学报
在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C+,使其剂量达到5.0×1016 cm2,随后即对样品进行高温退火处理.采用X射线衍射(XRD),拉曼和光致发光(PL)光谱技术对样品进行了表征.实验结果显示:C+注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射.PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应.
关键词:
离子注入
,
SiC发光
,
量子限制效应
