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MOCVD法在MgO(100)衬底上生长m面ZnMgO薄膜

张亚琳 , 黄靖云 , 吴科伟 , 卢洋藩 , 叶志镇

材料科学与工程学报

本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010) ZnMgO薄膜.研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响.X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMgO薄膜表面平整,由条纹状结构组成.透射电子显微镜(TEM)分析进一步证明ZnMgO为具有m面取向的单晶薄膜.X射线光电子能谱(XPS)定量分析表明ZnMgO薄膜中Mg含量为3at.%.

关键词: ZnMgO , m面 , 金属有机化学气相沉积(MOCVD)

Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , 曾昱嘉 , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm3. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , magnetron sputtering , codoping

Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , 曾昱嘉 , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.039

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm2/(V·s),空穴浓度为4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , 磁控溅射 , 共掺

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